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龙图腾网获悉山东森荣新材料股份有限公司申请的专利半导体封装用ETFE薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121362357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511931547.8，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权半导体封装用ETFE薄膜的制备方法是由亓凯;荣钦功设计研发完成，并于2025-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装用ETFE薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于ETFE薄膜制备技术领域，具体的涉及一种半导体封装用ETFE薄膜的制备方法。本发明所述的半导体封装用ETFE薄膜的制备方法，由以下步骤组成：1四氟乙烯‑甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物的制备；2ETFE树脂的预处理；3纳米复合填料的硅烷化处理；4制备ETFE薄膜；5ETFE薄膜经后处理，制备得到半导体封装用ETFE薄膜。采用本发明所述的制备方法制备得到的半导体封装用ETFE薄膜，具有优异的力学性能以及耐磨性。

本发明授权半导体封装用ETFE薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装用ETFE薄膜的制备方法，其特征在于：由以下步骤组成： 1四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物的制备 ①向高压反应釜中加入去离子水、4,8-二氧杂-3H-全氟壬酸铵和过硫酸钾，密封高压反应釜后用氮气置换釜内空气3次，再通入四氟乙烯至釜内压力0.2MPa，置换氮气2次，每次置换后排空至常压，随后继续通入四氟乙烯，使釜内压力升至2.5MPa，于5min内用氮气将甲基丙烯酸缩水甘油酯压入高压反应釜中，升温至55-58℃搅拌反应，反应过程中通过补加四氟乙烯维持釜内压力稳定在2.5MPa；反应进行至3h时，向高压反应釜中加入甲醇阻聚剂，反应至3.2-3.4h时停止加热，降至室温，制备得到四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物乳液； ②向四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物乳液中加入凝聚剂，搅拌使共聚物析出，经洗涤、干燥，制备得到四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物； 2ETFE树脂的预处理 将ETFE树脂于150℃空气氛围下保温2.5h，自然冷却，制备得到预处理ETFE树脂； 3纳米复合填料的硅烷化处理 ①将埃洛石纳米管、纳米氟化镧以及纳米硅酸锆溶于去离子水中，然后加入氨水调节体系的pH值为9.0，于33-35℃超声处理30min； ②向上述反应体系中滴加1H,1H,2H,2H-全氟癸基三乙氧基硅烷溶液，于81-83℃回流反应4h，然后过滤、洗涤，干燥、过筛，制备得到硅烷化处理的纳米复合填料； 4将预处理ETFE树脂、硅烷化处理的纳米复合填料以及四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物混合均匀，然后投入双螺杆挤出机中进行熔融共混，得到共混物，将共混物通过T型口模挤出成片，最后经纵向拉伸、横向拉伸和热定型，制备得到ETFE薄膜； 5将步骤4制备得到的ETFE薄膜经后处理，制备得到半导体封装用ETFE薄膜； 其中：步骤4中所述ETFE薄膜，以重量份数计，由以下原料组成：预处理ETFE树脂88-90份、硅烷化处理的纳米复合填料4.5-6.5份、四氟乙烯-甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物3.5-5.5份。

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