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湖南越摩先进半导体有限公司周靓获国家专利权

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龙图腾网获悉湖南越摩先进半导体有限公司申请的专利一种多芯片模块的封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121358324B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511914823.X,技术领域涉及:H10W90/24;该发明授权一种多芯片模块的封装方法是由周靓;魏耀铖;马晓波;易昊玟;张弘;许志明设计研发完成,并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

一种多芯片模块的封装方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多芯片模块的封装方法,属于多芯片模块封装技术领域,该方法是将中介层进行阶梯式多层堆叠形成中介体,使每一个中介层露出具有高集成电路的互连台面,再将芯片作多层叠装,并使具有高带宽内存的每一个高带宽内存芯片都能与所对应中介层的互连台面搭接互连,将中介体直接或间接安装在基板上。这样,将原来平铺在一个中介层上的芯片改为在中介体上作立体堆叠,大大减小了多芯片模块的面积,使多芯片模块在很多应用环境更具有适应性。同时,中介体的厚度、强度远大于单薄的芯片层,具有更强的抗翘曲的整体性、稳固性,能够更有效的抑制与之结合的基板等封装体的翘曲,避免内部电路互连失效而使多芯片模块报废。

本发明授权一种多芯片模块的封装方法在权利要求书中公布了:1.一种多芯片模块的封装方法,其特征在于,将中介层进行阶梯式多层堆叠形成中介体1,使每一个中介层露出具有高集成电路的互连台面110,再将芯片2作多层叠装,并使具有高带宽内存的每一个高带宽内存芯片201都能与所对应中介层的互连台面110搭接互连,将中介体1直接或间接安装在基板5上;将各中介层正中区域设置上下相通的矩形空间1010,使中介层成为矩形的环形中介层101,且使在上环形中介层101的矩形空间1010大于在下环形中介层101的矩形空间1010,使中介体1形成用于装配芯片2的阶梯式凹陷空间100,各环形中介层101的互连台面110形成在阶梯式凹陷空间100内侧的四周;所述中介体1的形成包括如下步骤: S1:将矩形的整片中介层通过蚀刻形成环形中介层101的矩形空间1010; S2:通过蚀刻在环形中介层101形成若干上下相通的通孔,并在通孔内设置柱状导体6,且使柱状导体6与通孔的内壁绝缘; S3:在各环形中介层101的上表面和下表面重布线,按设计形成上表面电路1011和下表面电路1012,上表面电路1011和下表面电路1012通过柱状导体6连通; S4:利用混合键合技术将在上的环形中介层101和在下的环形中介层101结合在一起,使在上环形中介层101的下表面电路1012与在下环形中介层101的上表面电路1011连通,并使上下相邻的环形中介层101之间的相邻电路间具有绝缘介质。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人湖南越摩先进半导体有限公司,其通讯地址为:412000 湖南省株洲市石峰区云霞大道686号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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