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龙图腾网获悉深圳市万微半导体有限公司申请的专利一种用于高精度ADC的低功耗误差校准电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121261708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511822810.X，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种用于高精度ADC的低功耗误差校准电路及芯片是由刘磊设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于高精度ADC的低功耗误差校准电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于高精度ADC的低功耗误差校准电路及芯片，涉及模拟数字转换技术领域。所述校准电路包括ADC核心单元、误差提取单元、补偿控制单元、模拟补偿单元及误差评估单元。该方法通过将电容阵列划分为低位和高位冗余电容组，采用从低位到高位的分段校准顺序，依次提取各电容组的失配信息并更新补偿权重；校准时，利用电荷再分配原理和比较器检测电容相对大小，计算失配率，并通过模拟补偿单元进行权重修正；误差评估单元监控校准后误差，确保其在允许范围内；本发明通过分段校准简化了控制逻辑，避免了误差累积，在校准高位电容时以已校准的低位电容为基准，显著提高了整体校准精度。

本发明授权一种用于高精度ADC的低功耗误差校准电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于高精度ADC的低功耗误差校准芯片，其特征在于，包括： Step1：当检测到任一校准触发条件时，进入校准状态；其中，高精度ADC芯片的电容组包括低位冗余电容组和高位冗余电容组； Step2：由低位至高位分段提取高精度ADC芯片各个电容组的失配信息，其中，所述低位冗余电容组的电容阵列为0至n2位，高位冗余电容组的电容阵列为n2+1至n位； 其中，在执行低位冗余电容组校准时，使用参考电容作为参考基准，在执行高位冗余电容组校准时，使用已校准的低位冗余电容组作为参考基准或参考电容作为参考基准； Step3：判断校准权重后误差是否在最大允许误差内，若是，则进入Step4；若否则返回Step2； Step4：高精度ADC芯片退出校准状态，进入工作状态， 其中，所述Step2中包括： Step2.1：激活低位冗余电容组，通过交替切换电容网络，测量低位冗余电容组每个电容单元的实际电容值，计算第一电容失配率； Step2.2：计算低位补偿权重，更新低位校准状态； Step2.3：激活高位冗余电容组，通过交替切换电容网络，测量高位冗余电容组每个电容单元的实际电容值，计算第二电容失配率； Step2.4：计算高位补偿权重，更新高位校准状态； 根据位数i控制补偿过程，当i≤n2时执行低位补偿；当i＞n2时执行高位补偿，其中，所述第一电容失配率或第二电容失配率计算公式为： ； 式中，为实际测量得到的第i位单位电容的值；为参考电容的理想值，表示计算得到第i位电容的相对失配率； 依据第一电容失配率以及第二电容失配率分别计算，低位补偿权重、高位补偿权重的计算公式为： ； 将计算得到的电容失配率累加到原有的权重值上，表示初始权重；表示更新权重。

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