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龙图腾网获悉上海季丰技术有限公司;北京亦庄季峰检测技术有限公司申请的专利一种芯片失效分析去层方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121231178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511769616.X，技术领域涉及：G01N1/32；该发明授权一种芯片失效分析去层方法是由李胤宏;张俊宗;郑朝晖;倪卫华设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片失效分析去层方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提供了一种芯片失效分析去层方法。该方法包括：去除顶层，得到第一去层样品；对第一去层样品进行RIE刻蚀处理，以去除第一阻挡层以及填充在厚铜金属层与第一防护层之间的部分第一氧化层，以暴露出厚铜金属层，得到第二去层样品；将第二去层样品放入缓冲氧化物刻蚀剂中进行浸泡处理，以去除残留在厚铜金属层的侧壁的氧化物侧墙，得到第三去层样品；将第三去层样品放入铜金属腐蚀剂中进行腐蚀处理，以去除厚铜金属层，并暴露出第一防护层，得到第四去层样品；对第四去层样品进行机械研磨处理，以去除第一防护层，完成对次顶层的去层操作。本申请提高了芯片去层的研磨表面平整度，并提高了去层分析效率和成功率。

本发明授权一种芯片失效分析去层方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片失效分析去层方法，其特征在于，所述芯片从上至下依次包括顶层、第一阻挡层、次顶层和第二阻挡层；所述次顶层包括厚铜金属层，设置在所述厚铜金属层的侧壁以及底部的第一防护层，以及填充在所述第一阻挡层、厚铜金属层和第一防护层之间的第一氧化层；所述厚铜金属层的厚度≥3.4µm； 所述方法包括如下步骤： 去除所述顶层，以暴露出所述第一阻挡层，得到第一去层样品； 对所述第一去层样品进行RIE刻蚀处理，以去除所述第一阻挡层以及填充在所述厚铜金属层与所述第一防护层之间的部分所述第一氧化层，以暴露出所述厚铜金属层，得到第二去层样品； 将所述第二去层样品放入缓冲氧化物刻蚀剂中进行浸泡处理，以去除残留在所述第一防护层的侧壁的氧化物侧墙，得到第三去层样品； 将所述第三去层样品放入铜金属腐蚀剂中进行腐蚀处理，以去除所述厚铜金属层，并暴露出所述第一防护层，得到第四去层样品； 对所述第四去层样品进行机械研磨处理，以去除所述第一防护层，得到第五去层样品，完成对所述次顶层的去层操作。

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