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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种GaN集成电路先进封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121215629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511746685.9，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权一种GaN集成电路先进封装结构及其制备方法是由麻胜恒;吴义针;李科举;汪连山设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN集成电路先进封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN集成电路先进封装结构，属于半导体器件封装技术领域。所述结构包括铜基板、树脂绝缘层、GaN芯片、第二环氧树脂层、铜电路板结构及外部填充层；GaN芯片通过第一环氧树脂层设于树脂绝缘层上，其具有铜柱引脚；铜电路板结构由设置于刻蚀凹槽内并与铜柱引脚连接的柱状铜金属结构，以及设置于树脂层上表面的梯形铜金属结构一体构成，形成顶部电学与热学通路；外部填充层填充于相邻电路结构之间。制备方法包括：基板处理、芯片贴装、塑封、表面粗化、激光刻蚀形成凹槽、化学沉铜与电镀铜、抛光、选择性刻蚀图形化及填充步骤。本发明通过双面散热与一体化铜互联结构，显著提升了封装的热性能、电气性能及可靠性。

本发明授权一种GaN集成电路先进封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN集成电路先进封装结构，其特征在于，包括： 铜基板； 树脂绝缘层，设置于所述铜基板上； GaN芯片，通过第一环氧树脂层设置于所述树脂绝缘层上，所述GaN芯片具有主体部分和凸出于其表面的铜柱引脚； 第二环氧树脂层，包覆于所述GaN芯片的侧面及部分上表面，且其上表面高于所述铜柱引脚的上表面； 铜电路板结构，其包括柱状铜金属结构和梯形铜金属结构，所述柱状铜金属结构设置于贯穿所述第二环氧树脂层的刻蚀凹槽内并与所述铜柱引脚形成电学与热学连接，所述梯形铜金属结构设置于所述第二环氧树脂层的上表面并与所述柱状铜金属结构一体连接； 外部填充层，设置于所述第二环氧树脂层上并填充于相邻的所述铜电路板结构之间； 所述刻蚀凹槽为阶梯刻蚀凹槽，所述阶梯刻蚀凹槽的槽口宽度大于所述铜柱引脚的宽度，且其侧壁呈阶梯状，使得所述柱状铜金属结构部分包裹并接触所述铜柱引脚的侧面上部。

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