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龙图腾网获悉上海超致半导体科技有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511696568.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由吴玉舟;禹久赢设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成外延层；外延层包括隔离区、宽度为N1的第一导电类型柱和宽度为P1的第二导电类型柱；第一导电类型柱和第二导电类型柱交替排布在隔离区远离衬底的一侧；至少一次执行第一操作，第一操作包括：去除第一导电类型柱和与第一导电类型柱相邻的第二导电类型柱的部分区域，以形成第一沟槽；在第一沟槽内形成宽度为N2的第一导电类型柱，其中，N2大于N1；宽度为P1的第二导电类型柱变为宽度为P2的第二导电类型柱，其中，P2小于P1；随着第一操作的次数的增加，N2逐渐增大，P2逐渐减小。本发明可以提升器件性能。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底设置为第一导电类型； 在所述衬底的一侧形成外延层；所述外延层包括设置为第一导电类型的隔离区、宽度为N1的第一导电类型柱和宽度为P1的第二导电类型柱；所述隔离区位于所述衬底的一侧，所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱交替排布在所述隔离区远离所述衬底的一侧； 至少一次执行第一操作，所述第一操作包括： 同时去除所述第一导电类型柱和与所述第一导电类型柱相邻的所述第二导电类型柱的部分区域，以形成第一沟槽； 在所述第一沟槽内形成宽度为N2的第一导电类型柱，其中，N2大于N1；宽度为P1的所述第二导电类型柱变为宽度为P2的所述第二导电类型柱，其中，P2小于P1；随着所述第一操作的次数的增加，N2逐渐增大，P2逐渐减小； 同时去除所述第一导电类型柱和与所述第一导电类型柱相邻的所述第二导电类型柱的部分区域，以形成第一沟槽，包括： 刻蚀去除所述第一导电类型柱和与所述第一导电类型柱相邻的所述第二导电类型柱的部分区域以形成第一沟槽，所述第一沟槽的中心与所述第一导电类型柱的中心重合。

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