杭州富芯半导体有限公司吴建波获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174550B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511715098.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版是由吴建波;崔卫刚设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版在说明书摘要公布了：本申请提供了一种LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版，方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成至少一LDMOS器件结构，LDMOS器件结构包括栅极、源极区、漏极区及漂移区，在漂移区设置有沟槽隔离区；在形成有LDMOS器件结构的半导体衬底上形成第一介质层；形成贯穿第一介质层并伸入沟槽隔离区的至少一场板连接孔；在场板连接孔中填充导电物质，形成嵌入沟槽隔离区的第一场板；形成的场板连接孔在沟槽隔离区的纵向深度满足：靠近栅极一侧在沟槽隔离区中的深度较远离栅极一侧在沟槽隔离区中的深度大。由于第一场板是嵌入沟槽隔离区的，因此能减少对半导体表面面积的占用，有利于芯片的小型化和集成化。
本发明授权LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成至少一LDMOS器件结构，所述LDMOS器件结构至少包括栅极、源极区、漏极区及漂移区，在所述漂移区设置有沟槽隔离区； 在形成有所述LDMOS器件结构的所述半导体衬底上形成第一介质层； 形成贯穿所述第一介质层并伸入所述沟槽隔离区的至少一场板连接孔； 向所述场板连接孔底部的漂移区注入N型离子； 在所述场板连接孔中填充导电物质，形成嵌入所述沟槽隔离区的第一场板； 其中，形成的场板连接孔在所述沟槽隔离区的纵向深度满足： 靠近所述栅极一侧在沟槽隔离区中的深度较远离栅极一侧在沟槽隔离区中的深度大，所述场板连接孔深度较深的部分或者深度较大的场板连接孔对应的底部漂移区注入的N型离子分布更广，浓度更大。
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