暨南大学沈凯获国家专利权
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龙图腾网获悉暨南大学申请的专利一种光伏器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511196729.5，技术领域涉及：H10F10/162；该发明授权一种光伏器件及其制备方法是由沈凯设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光伏器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光伏器件及其制备方法，属于光伏器件技术领域。本申请的光伏器件包括由下至上依次设置的衬底、TCO层、缓冲层、吸收层、第一界面层以及背电极导电层；其中，所述第一界面层为非连续膜层，所述第一界面层的材料包括高阻氧化物和或高阻氮化物，厚度为1nm‑100nm。其中，非连续膜层通过局域钝化与局域接触的结构设计，在覆盖区域利用高阻材料钝化背界面缺陷，在未覆盖区域直接形成低阻接触，避免了连续钝化层的整体能垒升高，从而降低了载流子传输电阻，最终解决了背界面钝化与载流子传输的矛盾。
本发明授权一种光伏器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏器件，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、TCO层、缓冲层、吸收层、第一界面层以及背电极导电层； 其中，所述第一界面层为非连续膜层，所述第一界面层的材料包括高阻氧化物和或高阻氮化物，厚度为1nm-100nm； 其中，所述高阻氧化物包括SiOx、AlOx、MgOx、CaOx、GaOx、NiOx、TiOx、ZnOx和SnOx中的至少一种，所述高阻氮化物为SiNx，x≥0.9； 所述吸收层的材料包括CdTe、CdSexTe1-x和CdSe中的至少一种，x的取值范围为0-40%。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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