惠州市绿色能源与新材料研究院;中国科学院过程工程研究所;中国石油大学(北京)张香平获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州市绿色能源与新材料研究院;中国科学院过程工程研究所;中国石油大学(北京)申请的专利一种基于液体芯片的电化学原位TEM观测单纳米气泡的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121114091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511025192.6，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种基于液体芯片的电化学原位TEM观测单纳米气泡的方法是由张香平;褚俊杰;王宗旭;白璐;董海峰;白银鸽设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于液体芯片的电化学原位TEM观测单纳米气泡的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于液体芯片的电化学原位TEM单纳米气泡观测方法。采用原子层沉积和聚焦离子束技术，对液体芯片进行加工，形成单个纳米反应区；加工后的液体芯片通过内置导线和液体微通道的透射电镜操作杆与电化学工作站连接，在外加电压的驱动下，实现单纳米气泡的可控生成；利用透射电子显微镜成像技术，对单纳米气泡动态演化过程进行实时观测。本发明将电化学方法与透射电子显微镜技术结合，不仅能够实时获取电化学反应过程中的关键数据，还能直观地捕捉到纳米气泡的动态演化过程，为深入研究电化学反应中界面的微观变化提供了一种新方法。
本发明授权一种基于液体芯片的电化学原位TEM观测单纳米气泡的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于液体芯片的电化学原位TEM观测单纳米气泡的方法，其特征在于， 所述方法包括如下步骤： 在所述液体芯片的工作电极和对电极上沉积一层绝缘层，形成所述绝缘层的材料为氧化铝、氧化铪、氮化硅、氧化硅中的一种或几种，所述绝缘层的厚度为20nm-50nm； 对所述工作电极进行刻蚀去除部分绝缘层，然后在刻蚀的区域沉积金属层形成纳米反应区，所述纳米反应区的面积为5×10-15m2-7×10-13m2，所述工作电极采取侧面刻蚀和沉积金属层形成直径为50nm-500nm的反应区，对所述对电极进行刻蚀去除部分绝缘层形成微米反应区； 将所述液体芯片组装至透射电镜操作杆内，所述透射电镜操作杆与电化学工作站连接，所述透射电镜操作杆设置有液体微通道，通过所述液体微通道向所述液体芯片内注入电解液，直至所述工作电极和对电极完全浸没； 所述电化学工作站施加电压，在所述工作电极的所述纳米反应区激发产生单个纳米气泡，使用透射电镜实时观测。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人惠州市绿色能源与新材料研究院;中国科学院过程工程研究所;中国石油大学(北京)，其通讯地址为：516200 广东省惠州市惠阳区惠州大亚湾西区科技创新园科技路孵化楼C栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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