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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511649237.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由运广涛;阮钢;苏圣哲;罗钦贤设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段栅极之间形成有栅极隔离结构，通过在侧壁氮化硅及在被暴露出来的衬底上引入水汽，利用疏水性原理，采用自对准工艺在栅极的顶部和栅极隔离结构的顶部形成保护层。在回刻工艺中，保护层保护栅极隔离结构的顶部不被刻蚀，仅刻蚀侧壁氮化硅，以使在栅极宽度方向上相邻栅极之间的沟槽满足预设深宽比。本发明意想不到的效果是不需要采用光刻工艺就能在特定区域实现形成局部保护层和刻蚀部分栅极的侧壁氮化硅，有利于避免相邻段栅极之间的栅极隔离结构的顶部形成凹陷，进而解决了短路的问题。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有栅极和覆盖所述栅极的侧壁氮化硅，所述栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段所述栅极之间形成有栅极隔离结构； 引入水汽，所述水汽覆盖所述栅极的顶部、所述侧壁氮化硅、所述栅极隔离结构的顶部以及被暴露出来的所述衬底的表面，其中，采用湿法工艺引入所述水汽，所述湿法工艺包括浸入式工艺或者喷淋式工艺； 去除部分水汽，以暴露出所述栅极的顶部和所述栅极隔离结构的顶部，且保留所述侧壁氮化硅及所述衬底上的水汽，其中，采用非旋转平面烘干工艺去除部分所述水汽； 采用自对准工艺形成保护层，所述保护层位于所述栅极的顶部和所述栅极隔离结构的顶部上，所述自对准工艺是SACVD工艺或者HARP工艺，所述SACVD工艺或者HARP工艺中的气体包括臭氧和TEOS，所述TEOS具有疏水性，且所述SACVD工艺或者HARP工艺中形成疏水前驱体，以确保仅在所述栅极的顶部和所述栅极隔离结构的顶部上形成所述保护层； 执行回刻工艺，刻蚀部分所述侧壁氮化硅，以使在栅极宽度方向上相邻的所述栅极之间的沟槽满足预设深宽比，其中，在所述回刻工艺中，所述保护层用于保护所述栅极隔离结构。

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