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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120980906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511483770.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由李文超;林政纬;贾涛;罗成设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底；基底包括衬底、设置在衬底上的栅极结构、以及位于栅极结构两侧的牺牲侧墙；其中，衬底和栅极结构分别形成有金属硅化物；衬底的表面具有位于栅极结构与金属硅化物之间的间隙区域；基于应力临近技术，去除牺牲侧墙，并在衬底和栅极结构上设置应力层；应力层的厚度大于间隙区域的宽度；去除部分应力层，以使金属硅化物的至少部分表面暴露；剩余部分的应力层形成栅极侧墙；其中，间隙区域被栅极侧墙覆盖；在金属硅化物和栅极侧墙的表面设置第一层间介质层；对应金属硅化物的位置，刻蚀第一层间介质层以制备出接触孔。如此，减少了SPT工艺后制作的接触孔出现的高接触电阻问题。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括： 提供基底；所述基底包括衬底、设置在衬底上的栅极结构、以及位于栅极结构两侧的牺牲侧墙；其中，所述衬底和所述栅极结构分别形成有金属硅化物；所述衬底的表面具有位于所述栅极结构与金属硅化物之间的间隙区域； 基于应力临近技术，去除所述牺牲侧墙，并在所述衬底和所述栅极结构上设置应力层；其中，所述应力层的厚度大于所述间隙区域的宽度； 去除部分应力层，以使金属硅化物的至少部分表面暴露；剩余部分的应力层形成栅极侧墙；其中，所述间隙区域被所述栅极侧墙覆盖； 在所述金属硅化物和所述栅极侧墙的表面设置第一层间介质层； 对应金属硅化物的位置，刻蚀所述第一层间介质层以制备出接触孔，包括：以所述栅极侧墙和在所述衬底形成的金属硅化物的位置为基准，在所述第一层间介质层上刻蚀出沟槽，形成第二层间介质层；其中，所述栅极结构的金属硅化物上的第二层间介质层表面与所述衬底的金属硅化物上的第二层间介质层表面之间存在高度差；刻蚀所述第二层间介质层，以在金属硅化物的位置形成相应的接触孔。

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