苏州宏策光电科技有限公司朱运平获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州宏策光电科技有限公司申请的专利一种氮化铬薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120425306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411983441.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种氮化铬薄膜及其制备方法和应用是由朱运平;陈溢祺设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铬薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化铬薄膜及其制备方法和应用，属于极紫外光刻用掩膜板制备技术领域。本发明提供了一种氮化铬薄膜的制备方法，包括以下步骤：以氩气和氮气的混合气体作为工作气体，以铬靶材为溅射靶材进行磁控溅射，氮气和铬生成氮化铬粒子并溅射至基底表面，形成氮化铬薄膜；所述氮气的体积浓度为5～50％。本发明制备的氮化铬薄膜粗糙度小且粘附性好，能够用于极紫外光刻用掩膜板的制造，对极紫外光刻行业有着显著的推动作用。氮化铬CrN具有高熔点和高硬度的特性，具有优异的化学稳定性和耐磨性，且能够在高温下保持其力学性能，能够很好地保持极紫外掩膜板的稳定性。
本发明授权一种氮化铬薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氮化铬薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 以氩气和氮气的混合气体作为工作气体，以铬靶材为溅射靶材进行磁控溅射，氮气和铬生成氮化铬粒子并溅射至基底表面，形成氮化铬薄膜； 所述氮气的体积浓度为13~35%；所述磁控溅射的本底真空度≤1×10-4Pa，功率为1000~1500W；所述基底包括熔融石英、超低膨胀玻璃或高硼硅玻璃； 所述氮化铬薄膜的厚度为5~40nm，所述氮化铬薄膜的晶向为111、220和311，且对应的XRD特征峰强度为220≥111＞311；所述氮化铬薄膜的粗糙度为1.4~1.5nm。
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