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龙图腾网获悉西安工业大学申请的专利紧凑型偏振双模式弯曲波导结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120370467B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510658929.1，技术领域涉及：G02B6/125；该发明授权紧凑型偏振双模式弯曲波导结构及其设计方法是由谭振坤;侯朋飞;蔚娟;雷思琛;刘丙才;张福瑞;李瑶;王姣设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本紧凑型偏振双模式弯曲波导结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了紧凑型偏振双模式弯曲波导结构，包括整体下包层、弯曲波导主体结构，弯曲波导主体结构设置于整体下包层上方；弯曲波导主体结构包括弧形的耦合区域，耦合区域两端分别设置输入波导和输出波导，输入波导远离耦合区域端还设置输入端口taper；与现有的弯曲波导相比较，有效弯曲面积较小，提高了弯曲波导结构的集成度和输出波导的透射率。本发明还公开上述弯曲波导的设计方法，在FDTD软件上设计尺寸较小的弯曲波导并采用算法对弯曲波导的耦合区、输入波导和输出波导进行优化，从而提高TE或TM模式在1450nm‑1650nm波段范围内传输的透射率、降低TE或TM模式在波导中传输时的损耗。

本发明授权紧凑型偏振双模式弯曲波导结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.紧凑型偏振双模式弯曲波导结构，其特征在于，包括整体下包层1、弯曲波导主体结构6，所述弯曲波导主体结构6设置于整体下包层1上方； 所述弯曲波导主体结构6包括弧形的耦合区域2，所述耦合区域2两端分别设置输入波导3和输出波导4，所述输入波导3远离耦合区域2一端还设置输入端口taper7； 所述耦合区域2、输入波导3和输出波导4上端面均设置有刻蚀孔洞5，所述耦合区域2弧形圆心角为45°、90°、120°或180°； 所述耦合区域2弧形圆心角为90°时，整体下包层1厚度为6.0μm；耦合区域2的弯曲半径分别为1.5μm、1.0μm或0.5μm，耦合区域2宽度为0.8μm，厚度为0.3μm；输入波导3宽度为0.8μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输出波导4的宽度为0.8μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输入端口的taper7长度为2.0μm、厚度为0.3μm、输入端口taper7上端口的宽度为0.6μm、输入端口taper7下端口的宽度为0.8μm； 耦合区域2弧形圆心角为180°时，整体下包层1厚度为6.0μm；耦合区域2的弯曲半径分别为2.0μm、1.6μm或1.4μm，耦合区域2宽度为1.0μm，厚度为0.3μm；输入波导3宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输出波导4的宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输入端口taper7长度为2.0μm、厚度为0.3μm、输入端口taper7上端口的宽度为0.6μm、输入端口taper7下端口的宽度为1.0μm； 耦合区域2弧形圆心角为120°时，整体下包层1厚度为6.0μm；耦合区域2的弯曲半径分别为2.0μm、1.6μm或1.4μm，耦合区域2宽度为1.0μm，厚度为0.3μm；输入波导3宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输出波导4的宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输入端口taper7长度为2.0μm、厚度为0.3μm、输入端口taper7上端口的宽度为0.6μm、输入端口taper7下端口的宽度为1.0μm； 所述耦合区域2弧形圆心角为45°时，整体下包层1厚度为6.0μm；耦合区域2的弯曲半径分别为2.0μm、1.6μm或1.4μm，耦合区域2宽度为1.0μm，厚度为0.3μm；输入波导3宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输出波导4的宽度为1.0μm、长度为2.0μm、厚度为0.3μm；输入端口taper7长度为2.0μm、厚度为0.3μm、输入端口taper7上端口的宽度为0.6μm、输入端口taper7下端口的宽度为1.0μm； 所述整体下包层1采用二氧化硅材料，整体下包层1的尺寸不小于弯曲波导主体结构6的尺寸，所述耦合区域2采用硅材料；通过所述输入波导3的输入光源为TE0或TM0模式。

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