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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种微透镜阵列及其制备方法和制备系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120143317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510453117.3，技术领域涉及：G02B3/00；该发明授权一种微透镜阵列及其制备方法和制备系统是由张月;曹皓;程锐琦;桂成群;王德铭;陈硕设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微透镜阵列及其制备方法和制备系统在说明书摘要公布了：本发明公开了激光微纳制造以及微纳光学技术领域的一种微透镜阵列及其制备方法和制备系统，包括：根据预设的微透镜阵列结构模型，制作具有灰度信息的光刻图案；在所述光刻图案中插入辅助图形，根据光刻图案在光刻胶上进行多次曝光，利用辅助图形使已光刻的微透镜阵列子结构和待光刻的光刻图案边缘对准吻合，使多次曝光得到的微透镜阵列子结构相互拼接，得到微透镜阵列结构。本发明提供的微透镜阵列的制备方法过插入辅助图形，在光刻拼接过程中利用辅助图形进行对准，减小了拼接误差，且制备过程高效，成本低，适用于大规模批量生产。

本发明授权一种微透镜阵列及其制备方法和制备系统在权利要求书中公布了：1.一种微透镜阵列的制备方法，其特征在于，包括： 根据微透镜阵列结构模型，制作具有灰度信息的光刻图案，所述光刻图案为微透镜阵列子结构的光刻图案； 在所述光刻图案中插入辅助图形，根据光刻图案在光刻胶上进行多次曝光，利用辅助图形使已光刻的微透镜阵列子结构和待光刻的光刻图案边缘对准吻合，使多次曝光得到的微透镜阵列子结构相互拼接，得到微透镜阵列结构； 将光刻胶上的目标尺寸的微透镜阵列结构转移至UV胶上，得到微透镜层； 在微透镜层的上表面制备反射层； 在反射层的上表面制备保护层； 在微透镜层的下表面制备吸收层； 在保护层的上表面制备抗眩光层，得到微透镜阵列； 其中，所述在所述光刻图案中插入辅助图形，根据光刻图案在光刻胶上进行多次曝光，利用辅助图形使已光刻的微透镜阵列子结构和待光刻的光刻图案边缘对准吻合，使多次曝光得到的微透镜阵列子结构相互拼接，得到微透镜阵列结构，包括： 在所述光刻图案中插入辅助图形，所述辅助图形为十字图形； 根据光刻图案在光刻胶上进行首次光刻，得到初始微透镜阵列子结构和基准辅助图形，所述基准辅助图形为初始微透镜阵列子结构中的辅助图形； 重复执行以下步骤，直至拼接成的微透镜阵列结构达到目标尺寸； 以基准辅助图形的中心为原点，建立基准坐标系； 获取待光刻的光刻图案在基准坐标系下的实际坐标信息，包括待光刻的光刻图案中辅助图形中心点在基准坐标系下的实际横坐标、待光刻的光刻图案中辅助图形中心点的实际纵坐标和待光刻的光刻图案相对于初始微透镜阵列子结构的旋转角； 根据所述实际坐标信息，计算待光刻的光刻图案中辅助图形中心点移动到达下一次曝光位置的X轴移动量、Y轴移动量和旋转角； 根据所述X轴移动量、Y轴移动量和旋转角移动待光刻的光刻图案，移动完毕后进行光刻。

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