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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120085065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510256217.7，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的装置和方法是由曾成;郭婉婷;宁俊松;汪晋霄;魏学迪;补世荣;王占平设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的装置和方法，属于电子学技术领域，装置包括测试探头、校准探头、金属板和密封腔，测试探头的开放式底端面为测试平面，校准探头与测试探头的结构完全相同，二者关于测试平面呈镜像对称；金属板的微波表面电阻已知；通过将校准探头、金属板或待测HTS薄膜可拆卸地放置于测试平面，并用密封腔罩住，置于待测HTS薄膜的工作温度下分别进行无载品质因数和谐振频率测试，经计算求得待测HTS薄膜正反两面的RS和XS。本发明可同时测得待测HTS薄膜正反两面的微波表面阻抗，在保证测试结果准确性的同时，极大提高测试效率，适合HTS薄膜的大批量工业化测试，适用于广泛使用的2英寸及上尺寸的HTS薄膜。

本发明授权一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种高效测量高温超导薄膜微波表面阻抗的方法，其特征在于，基于测量装置实现，测量装置包括测试探头、校准探头、金属板和密封腔； 所述测试探头的开放式底端面为测试平面，校准探头与测试探头的结构完全相同，二者关于测试平面呈镜像对称； 所述金属板的微波表面电阻已知； 所述密封腔用于罩住测试平面； 通过将校准探头、金属板或待测HTS薄膜可拆卸地放置于测试平面，并用密封腔罩住，置于待测HTS薄膜的工作温度以下分别进行无载品质因数和谐振频率测试，经计算求得待测HTS薄膜正反两面的微波表面电阻RS和微波表面电抗XS； 高效测量高温超导薄膜微波表面电阻的具体过程为： 步骤A1、将校准探头加载至测试探头的底端面上，二者关于测试平面呈镜像对称，并采用密封腔罩住校准探头，密封后通入保护气体，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，测试得到无载品质因数Q0H； 步骤A2、将步骤A1所得测试装置加热至室温，取下校准探头；之后将微波表面电阻为的金属板加载至测试探头的底端面上，并采用密封腔罩住金属板，密封后通入保护气体，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，测试得到无载品质因数Q0N； 步骤A3、将步骤A2所得测试装置加热至室温，取下金属板；之后将待测HTS薄膜正面加载至测试探头的底端面，再将校准探头加载至待测HTS薄膜反面，测试探头与校准探头关于待测HTS薄膜呈镜像对称，并采用密封腔罩住校准探头，密封后通入保护气体，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，分别测试得到测试探头无载品质因数Q0T以及校准探头无载品质因数Q0C； 步骤A4、根据公式 ； 计算得到待测HTS薄膜正面微波表面电阻RS1； 步骤A5、根据公式 ； 计算得到待测HTS薄膜反面微波表面电阻RS2； 高效测量高温超导薄膜微波表面电抗的具体过程为： 步骤B1、将校准探头加载至测试探头的底端面上，二者关于测试平面呈镜像对称，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，测得无载品质因数Q0H随温度T变化曲线Q0HT，以及谐振频率f01随温度T变化曲线f01T； 步骤B2、将步骤B1所得测试装置加热至室温，取下校准探头；之后将金属板加载至测试探头的底端面上，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，测试得到无载品质因数Q0N随温度T变化曲线Q0NT； 步骤B3、将步骤B2所得测试装置加热至室温，取下金属板；之后将待测HTS薄膜正面加载至测试探头的底端面，再将校准探头加载至待测HTS薄膜反面，测试探头与校准探头关于待测HTS薄膜呈镜像对称，将所得测试装置置于待测HTS薄膜的工作温度以下，分别测试得到测试探头无载品质因数Q0T随温度T变化曲线Q0TT，测试探头谐振频率f0T随温度T变化曲线f0TT，校准探头无载品质因数Q0C随温度T变化曲线Q0CT，以及校准探头谐振频率f0C随温度T变化曲线f0CT； 步骤B4、计算待测HTS薄膜在失超温度下的正面微波表面电阻，具体公式为： 式中，为金属板随温度变化的微波表面电阻；下的测试探头无载品质因数Q0T下的无载品质因数Q0H下的无载品质因数Q0N 根据公式 ； 计算得到待测HTS薄膜正面微波表面电抗随温度T变化的相对值； 式中，为最低测试温度；为下的测试探头谐振频率f0T；为下的谐振频率f01； 由于待测HTS薄膜正面微波表面电抗随温度变化的绝对值与存在 ； 并且待测HTS薄膜失超时满足 ； 计算得到； 式中，为温度下的待测HTS薄膜正面微波表面电抗；为下的待测HTS薄膜正面微波表面电抗； 步骤B5、计算待测HTS薄膜在下的反面微波表面电阻，具体公式为： ； 式中，为下的测试探头无载品质因数Q0C； 根据公式 ； 计算得到待测HTS薄膜反面微波表面电抗随温度T变化的相对值； 式中，为下的校准探头谐振频率f0C； 由于待测HTS薄膜反面微波表面电抗随温度变化的绝对值与存在 ； 并且待测HTS薄膜失超时满足 ； 计算得到； 式中，为温度下的待测HTS薄膜反面微波表面电抗；为下的待测HTS薄膜反面微波表面电抗。

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