中微半导体设备(上海)股份有限公司张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种化学气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119932527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510073813.1，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权一种化学气相沉积装置是由张辉;姜银鑫;姜勇设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积装置在说明书摘要公布了：一种化学气相沉积装置，包括：反应腔，包括腔体侧壁和底壁；基座，位于所述反应腔内，所述基座包括基座侧壁，所述基座侧壁和腔体侧壁之间包括一排气区域；其特征在于，所述装置还包括：一限流环位于所述排气区域围绕所述基座侧壁，所述限流环底壁与腔体底壁之间存在一存储空间；所述限流环的侧壁或者底壁包括至少一开口用于使气流经过所述开口进入排气腔内；还包括至少一个排气管道固定在所述排气腔和反应腔底壁或侧壁之间，以支撑所述排气腔位于所述存储腔上方。
本发明授权一种化学气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积装置，包括： 反应腔，包括腔体侧壁和底壁； 基座，位于所述反应腔内，所述基座包括基座侧壁，所述基座侧壁和腔体侧壁之间包括一排气区域，来自基座上方的气流经过所述排气区域被排出反应腔；其特征在于，所述装置还包括： 一约束环位于所述排气区域并围绕所述基座侧壁，所述约束环包括顶板、侧壁和底壁，所述约束环底壁与腔体底壁之间存在一存储腔； 所述约束环顶板倾斜向下延伸，使得约束环顶板上方的污染物可以向下滑落； 所述存储腔的底部空间用于堆积污染物，顶部空间用于气流横向扩散，使得所述气流经过约束环侧壁后，至少部分气流在横向扩散空间横向流动； 所述约束环内侧壁与基座侧壁之间和或约束环外侧壁与腔体侧壁之间存在高速气流通道；所述约束环上方的气流通道的截面积大于等于所述高速气流通道截面积的2倍，且小于10倍； 且所述约束环底壁下方的顶部空间中用于气流横向扩散的气流通道截面积大于所述高速气流通道截面积，使得所述横向扩散空间中的气流以小于所述高速气流通道中的气流流速被抽走。
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