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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119905974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510223236.X，技术领域涉及：H02H7/20；该发明授权基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路是由杨媛;王婷婷;文阳设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路在说明书摘要公布了：本发明公开了基于didt检测的SiCMOSFET双重保护电路，包括电流采样模块，电流采样模块的输入端分别与寄生电感LSs的两端连接，SiCMOSFET的辅助源极接地，电流采样模块的输出端分别与短路故障判断模块的输入端、过载故障判断模块的输入端连接，短路故障判断模块的输出端、过载故障判断模块的输出端与故障信号锁存模块的输入端连接，故障信号锁存模块的输出端与输出级及软关断模块的输入端连接，输出级及软关断模块的输出端与SiCMOSFET的栅极连接。基于didt检测的SiCMOSFET双重保护电路，使用单一的检测电路就能够实现器件的硬开关故障、负载短路故障及过载故障的可靠保护，且具有软关断功能，使得该驱动保护电路更全面、更有效，提高了功率器件的工作寿命，增加系统的可靠性。

本发明授权基于di/dt检测的SiC MOSFET双重保护电路在权利要求书中公布了：1.基于didt检测的SiCMOSFET双重保护电路，其特征在于，包括电流采样模块1，所述电流采样模块1的输入端分别与寄生电感LSs的两端连接，所述寄生电感LSs的两端分别与SiCMOSFET的功率源极和辅助源极连接，所述SiCMOSFET的辅助源极接地，所述电流采样模块1的输出端分别与短路故障判断模块2的输入端、过载故障判断模块3的输入端连接，所述短路故障判断模块2的输出端、过载故障判断模块3的输出端与故障信号锁存模块4的输入端连接，所述故障信号锁存模块4的输出端与输出级及软关断模块5的输入端连接，所述输出级及软关断模块5的输出端与SiCMOSFET的栅极连接； 所述电流采样模块1包括电流检测电路110和复位电路120； 所述电流检测电路110包括电容Cs，所述电容Cs一端与SiCMOSFET的辅助源极、寄生电感LSs一端连接，所述电容Cs另一端与NMOS管M1的源极、电阻Rs一端、短路故障判断模块2的输入端、过载故障判断模块3的输入端连接； 所述电阻Rs另一端与二极管Diode的阳极、电阻Rg一端连接；所述电阻Rg另一端与二极管Diode的阴极、寄生电感LSs上未连接电容Cs的一端、SiCMOSFET功率源极连接； 所述复位电路120包括比较器A1，所述比较器A1的正输入端与参考电压Vth1连接，所述比较器A1的负输入端与输入信号VIN连接，所述比较器A1的输出端与电容C0一端连接，所述电容C0另一端与NMOS管M1的栅极和电阻R0的一端连接，所述电阻R0的另一端接地；所述NMOS管M1的漏极与SiCMOSFET的辅助源极连接，所述NMOS管M1的源极与电容Cs一端、电阻Rs一端、短路故障判断模块2的输入端、过载故障判断模块3的输入端连接； 所述短路故障判断模块2包括比较器A2，所述比较器A2的正输入端与电容Cs一端、NMOS管M1的源极、电阻Rs一端、过载故障判断模块3的输入端连接，所述比较器A2的负输入端与参考电压Vth2连接；所述比较器A2的输出端与故障信号锁存模块4的输入端连接； 所述过载故障判断模块3包括比较器A3，所述比较器A3的正输入端与电容Cs一端、NMOS管M1的源极、电阻Rs一端、短路故障判断模块2的输入端连接，所述比较器A3的负输入端与参考电压Vth3连接，所述比较器A3的输出端与第一触发器D1的D端连接，所述第一触发器D1的Q端与第二触发器D2的D端连接，所述第二触发器D2的Q端与第三触发器D3的D端连接，所述第三触发器D3的Q端与三输入与门AND连接，所述三输入与门AND的输出端与故障信号锁存模块4的输入端连接； 所述三输入与门AND的输入端分别与第一触发器D1的Q端、第二触发器D2的Q端、第三触发器D3的Q端连接；所述第一触发器D1的Clk端、第二触发器D2的Clk端、第三触发器D3的Clk端与输入信号VIN连接； 所述第一触发器D1的端、第二触发器D2的端、第三触发器D3的端与反相器INV的输出端连接，所述反相器INV的输入端与输入信号VIN连接；所述第一触发器D1的RST端、第二触发器D2的RST端、第三触发器D3的RST端与复位信号VRST连接。

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