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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411948090.7，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权半导体器件及其制作方法是由范思苓;曹文康设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：形成高压电容器的第一极板；在高压电容器的第一极板上形成至少一层层间介质层作为高压电容器的介质层，每层层间介质层内均形成有导电通孔，导电通孔相互连通并连通高压电容器的第一极板作为高压电容器的第一极板的引出通道；刻蚀层间介质层形成深槽；在深槽的侧壁及底部形成硅电容器的第一极板，硅电容器的第一极板与高压电容器的第一极板连通；在深槽的侧壁及底部形成硅电容器的介质层；在深槽内形成硅电容器的第二极板；在顶层的层间介质层上形成高压电容器的第二极板。本发明将高压电容器与硅电容器的制作集成在一个工艺中，节省了工艺步骤，节省了制作成本，提高了产品竞争力。

本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成高压电容器的第一极板； 在所述高压电容器的第一极板上形成至少一层层间介质层作为所述高压电容器的介质层，每层所述层间介质层内均形成有导电通孔，所述导电通孔相互连通并连通所述高压电容器的第一极板以作为所述高压电容器的第一极板的引出通道； 刻蚀所述层间介质层形成深槽； 在所述深槽的侧壁及底部形成硅电容器的第一极板，所述硅电容器的第一极板与所述高压电容器的第一极板连通；在所述深槽的侧壁及底部形成硅电容器的介质层，所述硅电容器的介质层覆盖所述硅电容器的第一极板；在所述深槽内形成硅电容器的第二极板，所述硅电容器的第二极板填满所述深槽；以及 在顶层的层间介质层上形成高压电容器的第二极板；且形成所述高压电容器的第二极板的同时形成所述高压电容器的第一极板与所述硅电容器的第一极板的引出端，以及所述硅电容器的第二极板的引出端；所述高压电容器的第一极板与所述硅电容器的第一极板共用同一引出通道与同一引出端。

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