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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利动态随机存取存储架构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855150B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121350.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储架构及其形成方法是由华文宇;丁潇;张梦阳;崔胜奇设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本动态随机存取存储架构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种动态随机存取存储架构及其形成方法，其中形成方法包括：形成衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，衬底包括若干有源区，有源区包括若干字线区；在每个字线区内形成字线栅沟槽；在每个字线栅沟槽内形成2个相互分立的字线栅结构；在第一面上形成若干位线层；自第二面向第一面对衬底进行源漏离子的注入处理，在每个有源区内形成第二源漏掺杂层；在第二面上形成若干电容结构。通过将形成电容结构的制程放在最后，能够保证在形成电容结构之前的制程过程中正常采用高温工艺，而不会对电容结构造成损伤。第二源漏掺杂层通过自第二面向第一面进行源漏离子的注入形成，能够有效提升第二源漏掺杂层内源漏离子的分布均匀性，进而有效提升晶体管的性能。

本发明授权动态随机存取存储架构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储架构的形成方法，其特征在于，包括： 形成衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，相邻的所述有源区之间具有第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽沿所述第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向垂直，每个所述有源区均包括若干相互分立的字线区和隔离区，且每个所述有源区中的所述字线区和所述隔离区沿所述第一方向间隔排列； 在所述第一隔离沟槽内形成第一隔离结构； 在每个所述有源区形成第一源漏掺杂层，所述第一面暴露出所述第一源漏掺杂层； 在每个所述字线区内形成字线栅沟槽、以及在每个所述隔离区内形成第二隔离沟槽，所述字线栅沟槽和所述第二隔离沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽和所述第二隔离沟槽沿所述第二方向贯穿所述有源区； 在每个所述第二隔离沟槽内形成第二隔离结构； 在每个所述字线栅沟槽内形成初始字线栅结构； 在形成所述第二隔离结构和所述初始字线栅结构之后，在所述第一面上形成若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与对应的1个所述有源区中的若干所述第一源漏掺杂层电连接； 在形成所述位线层之后，自所述第二面向所述第一面的方向对所述衬底进行第一减薄处理； 在所述第一减薄处理之后，自所述第一面向所述第二面的方向刻蚀部分所述初始字线栅结构，使得所述初始字线栅结构形成2个相互分立的字线栅结构，2个所述字线栅结构分别位于所述字线栅沟槽沿所述第一方向相对的侧壁； 在形成所述字线栅结构之后，自所述第二面向所述第一面对所述衬底进行源漏离子的注入处理，在每个所述有源区内形成第二源漏掺杂层，所述第二面暴露出所述第二源漏掺杂层； 在形成所述第二源漏掺杂层之后，在所述第二面上形成若干电容结构，每个所述电容结构与对应的1个所述第二源漏掺杂层电连接。

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