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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利晶圆级封装电场传感器、电场检测方法、制备方法及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411760695.3，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权晶圆级封装电场传感器、电场检测方法、制备方法及传感器是由彭春荣;王俊鹏设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级封装电场传感器、电场检测方法、制备方法及传感器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种晶圆级封装电场传感器、电场检测方法、制备方法及传感器，应用于电场传感器技术领域。该晶圆级封装电场传感器包括：衬底用于支撑敏感结构和晶圆级封装盖板；敏感结构通过锚点固定在衬底的上方，敏感结构包括电场感应电极单元和位移参考电极单元，用于在对敏感结构施加激励的情况下，电场感应电极单元产生感应电信号，位移参考电极单元产生位移参考电信号，以便于根据感应电信号和位移参考电信号，对晶圆级封装电场传感器的共模量误差进行补偿，提高晶圆级封装电场传感器的输出灵敏度；晶圆级封装盖板设置在敏感结构的上方，用于与衬底共同形成密闭腔室，以使在密闭腔室内的敏感结构处于真空的工作环境，提高传感器的品质因数。

本发明授权晶圆级封装电场传感器、电场检测方法、制备方法及传感器在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级封装电场传感器，包括： 衬底，用于支撑敏感结构和晶圆级封装盖板，所述衬底的表面设置有锚点； 敏感结构，通过锚点固定在所述衬底的上方，所述敏感结构包括多个电场感应电极单元和分别设置在所述敏感结构内的驱动结构单元和所述电场感应电极单元之间的多个位移参考电极单元，用于在对所述敏感结构施加激励的情况下，所述电场感应电极单元产生感应电信号，所述位移参考电极单元根据电容变化量产生位移参考电信号，以便于根据所述感应电信号和所述位移参考电信号之比，确定电场测量结果，并根据多个以差分的形式输出的感应电信号和多个以差分的形式输出的位移参考电信号，对所述晶圆级封装电场传感器的共模量误差进行补偿，提高所述晶圆级封装电场传感器的输出灵敏度； 晶圆级封装盖板，设置在所述敏感结构的上方，用于与所述衬底共同形成密闭腔室，以使在所述密闭腔室内的所述敏感结构处于真空的工作环境，以便于提高所述晶圆级封装电场传感器的品质因数； 其中，所述敏感结构还包括可动结构单元，谐振器包括可动结构单元内的弹性梁与第一梳齿结构和或第二梳齿结构，所述可动结构单元为单谐振器结构或多谐振器耦合结构，所述单谐振器结构包括一个所述谐振器，用于响应于所述敏感结构内的驱动结构单元的驱动，所述第一梳齿结构和所述第二梳齿结构以大小相同的振幅振动，以便于所述晶圆级封装电场传感器的输出灵敏度为预定值；所述多谐振器耦合结构包括多个所述谐振器，在含有多个所述可动结构单元的情况下，多个所述可动结构单元的弹性梁与至少一个耦合结构相连接，用于响应于所述驱动结构单元的驱动，基于模态局域化原理，所述第一梳齿结构和所述第二梳齿结构以大小不同的振幅振动，以便于提高所述晶圆级封装电场传感器的输出灵敏度。

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