武汉华星光电技术有限公司李壮获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及其制备方法以及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546082B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411846537.X，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权阵列基板及其制备方法以及显示面板是由李壮;熊文慧;艾飞;宋德伟设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制备方法以及显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法以及显示面板，阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层和栅极，有源层包括沟道，沟道包括主体部和边缘部，栅极绝缘层至少覆盖沟道远离所述基板的一侧，栅极设置于栅极绝缘层远离基板的一侧；其中，边缘部的缺陷态密度大于主体部的缺陷态密度。本申请实施例采用边缘部的缺陷态密度大于主体部的缺陷态密度的设置，由于边缘部的缺陷态密度较大，使得在相同的栅极电压下，边缘部更难以开启，边缘薄膜晶体管受到抑制，从而达到改善薄膜晶体管驼峰效应的效果。
本发明授权阵列基板及其制备方法以及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 基板；以及 薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层包括沟道，所述沟道包括主体部和边缘部，所述栅极绝缘层至少覆盖所述沟道远离所述基板的一侧，所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述栅极和所述沟道对应设置； 在所述阵列基板的平面视图中，一所述边缘部位于所述主体部的一侧，所述主体部和所述边缘部的排列方向与所述栅极的延伸方向平行； 其中，所述边缘部的缺陷态密度大于所述主体部的缺陷态密度； 所述主体部包括第一部分和第二部分，在所述有源层的宽度方向上，所述第一部分位于所述第二部分和所述边缘部之间，其中，所述第一部分的缺陷态密度介于所述边缘部的缺陷态密度和所述第二部分的缺陷态密度之间。
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