西安交通大学吴明获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于柔性压电超声传感器的PZT复合薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411617931.6，技术领域涉及：H10N30/853；该发明授权一种用于柔性压电超声传感器的PZT复合薄膜及其制备方法是由吴明;赵一明;张云飞;高景晖;任宗强;崔延凯;刘泳斌;钟力生设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于柔性压电超声传感器的PZT复合薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于柔性压电超声传感器的PZT复合薄膜及其制备方法，通过TiO2种子层调控PZT薄膜压电效应，使得获得的柔性压电超声传感器展现出优异的热稳定性和灵敏度。
本发明授权一种用于柔性压电超声传感器的PZT复合薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PZT复合薄膜，其特征在于，通过TiO2种子层调控PZT薄膜压电效应； 所述PZT复合薄膜从上至下包括：PZT薄膜层、TiO2种子层和基底； TiO2种子层的加入在PZT薄膜层引入压缩形变，且使PZT薄膜层与TiO2种子层之间的结构不对称，从而引入自发极化现象，进而提高d33； TiO2种子层作为低介电常数层，使得所述PZT复合薄膜介电常数降低； 所述PZT复合薄膜的相对介电常数为200~300； 所述基底为LNOMica基底； 所述PZT复合薄膜应用于柔性压电超声传感器。
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