深圳大学刘新科获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种氮化镓肖特基二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411675547.1，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种氮化镓肖特基二极管的制备方法是由刘新科;范康凯;杨永凯;朱曦;黎晓华;贺威;刘河洲设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓肖特基二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种氮化镓肖特基二极管的制备方法。制备方法包括以下步骤：提供设置有氮化镓漂移层的衬底；在氮化镓漂移层上形成沟槽；在沟槽的底壁区域朝向衬底所在的一侧进行第一次低能离子注入形成第一离子注入区；在沟槽内生长氮化镓外延层以填满沟槽；在氮化镓外延层的表面朝向衬底所在的一侧进行第二次低能离子注入形成第二离子注入区，第二离子注入区与第一离子注入区相接，且在与离子注入方向垂直的方向上，第二离子注入区与第一离子注入区的横截面的面积与形状均一致。通过采用两次低能离子注入的配合实现了离子的高深度注入，降低了实现离子高深度注入的技术难度和机器成本，且避免了高能离子注入的危险性。
本发明授权一种氮化镓肖特基二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底上设置有氮化镓漂移层； 在所述氮化镓漂移层上形成沟槽； 在所述沟槽的底壁区域朝向所述衬底所在的一侧进行第一次低能离子注入，形成第一离子注入区； 在所述沟槽内生长氮化镓外延层，所述氮化镓外延层填满所述沟槽； 在所述氮化镓外延层的表面朝向所述衬底所在的一侧进行第二次低能离子注入，形成与所述第一离子注入区相接的第二离子注入区，且在与离子注入方向垂直的方向上，所述第二离子注入区与所述第一离子注入区的横截面的面积与形状均一致； 所述第一次低能离子注入的深度与所述沟槽的深度相等，所述第二次低能离子注入的深度大于或等于所述沟槽的深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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