内蒙古大学李旭萍获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古大学申请的专利一种双发射热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119462562B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411611020.2，技术领域涉及：C07D285/14；该发明授权一种双发射热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用是由李旭萍;代春玲设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双发射热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种双发射热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用。所述双发射热活化延迟荧光材料由供体和受体形成D‑A骨架结构，通过调控供体和受体的硫原子连接位点调控材料的激发态能级。所述双发射热活化延迟荧光材料由所述制备方法制得，包括：将受体前驱体、供体、碳酸钾混合并于氩气气氛下注入溶剂，搅拌反应；所述溶剂包括四氢呋喃、N,N‑二甲基甲酰胺中的任一种。所述双发射热活化延迟荧光材料适用于防伪领域、信息加密领域。本发明提供的双发射热活化延迟荧光材料的双发射延迟寿命可分别达到58.6μs和3.4ms，制备方法简单、重复性强、产率高，成膜后通过氢键作用抑制非辐射跃迁，延长三重态激子寿命，在多维度防伪领域具备规模化推广应用前景。
本发明授权一种双发射热活化延迟荧光材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双发射热活化延迟荧光材料的应用，其特征在于，所述双发射热活化延迟荧光材料适用于防伪领域； 所述荧光材料由供体和受体形成D-A骨架结构，并通过调控供体和受体的硫原子连接位点调控材料的激发态能级； 所述供体的结构式为；所述受体为2,1,3-苯并噻二唑，结构式为，所述供体和受体的硫原子连接位点为S2和S3； 所述荧光材料的结构式为； 其中R为氢、甲基、叔丁基中的任一种；不同位点的R相同或者不同； Z为硫。
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