格科微电子(上海)有限公司赵立新获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利高增益图像传感器的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310816052.5，技术领域涉及：H04N25/78；该发明授权高增益图像传感器的控制方法是由赵立新;魏经纬;文宇昊;李怀兆设计研发完成，并于2023-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本高增益图像传感器的控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高增益图像传感器的控制方法，通过在列信号读出单元中设置列偏置电流源以及列PMOS放大管，所述列偏置电流源与列共用的电流输出连线相连，所述列PMOS放大管的漏极与列共用的电流输入连线相连，所述列PMOS放大管的栅极直接或通过电容与所述列共用的电流输出连线相连，可在所述列共用的电流输入连线上得到放大的读出行像素单元浮置扩散区的信号，从而实现超高转换增益，拓展暗光场景下的动态范围；列信号读出单元中的器件结构尺寸可以远大于像素内晶体管，工艺一致性更好，也可以更灵活调节转换增益；通过驱动列信号读出单元中的开关模块，实现SHCG模式与STD模式之间的切换，操作时对电源和地的冲击更小，提高了电路稳定性。
本发明授权高增益图像传感器的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高增益图像传感器的控制方法，其特征在于， 所述图像传感器包括阵列排布的多列像素单元，每列像素单元具有列共用的电流输入连线和列共用的电流输出连线，每列中各像素单元的源跟随晶体管的栅极连接各自的浮置扩散区，源跟随晶体管的漏极连接所述列共用的电流输入连线，源跟随晶体管的源极直接或通过各自的行选择晶体管连接所述列共用的电流输出连线； 所述列共用的电流输入连线和列共用的电流输出连线连接至列信号读出单元； 所述列信号读出单元包括列偏置电流源以及列PMOS放大管，所述列偏置电流源与所述列共用的电流输出连线相连，所述列PMOS放大管的漏极与所述列共用的电流输入连线相连，所述列PMOS放大管的栅极直接或通过电容与所述列共用的电流输出连线相连，可在所述列共用的电流输入连线上得到放大的读出行像素单元浮置扩散区的信号。
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