福建省晋华集成电路有限公司林嘉铭获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411411846.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构及其制作方法是由林嘉铭;陈旋旋;吕佐文;谢光良;冒姣姣;李少恒;黄健宾设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括衬底；源极、栅极和漏极，堆叠设于衬底上；第一隔离层，设于栅极和漏极之间；第二隔离层，设于第一隔离层和漏极之间；沟道层，贯穿栅极、第一隔离层以及第二隔离层，沟道层设置在源极上；栅介质层，设置在栅极和沟道层之间；绝缘层，设于沟道层的内侧；接触垫，设于绝缘层上；第二隔离层的氮组分的含量大于第一隔离层的氮组分的含量。第二隔离层在刻蚀或研磨制程中保护第一隔离层，避免第一隔离层被损伤，保护半导体结构的完整，有利于提高半导体结构的产品良率。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 源极、栅极和漏极，由下而上堆叠设于所述衬底上； 隔离层，设于所述栅极和所述漏极之间，包括第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层； 所述第二隔离层，设于所述第一隔离层和所述漏极之间； 所述第三隔离层，设于所述第一隔离层与所述栅极之间，所述第三隔离层的底面直接接触所述栅极的顶面； 沟道层，贯穿所述栅极、所述隔离层，所述沟道层设置在所述源极上； 栅介质层，设置在所述栅极和所述沟道层之间； 绝缘层，设于所述沟道层的内侧； 接触垫，设于所述绝缘层上； 所述第二隔离层的氮组分的含量大于所述第一隔离层的氮组分的含量。
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