湖南蓝芯微电子科技有限公司程海林获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南蓝芯微电子科技有限公司申请的专利一种多量子阱层、外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118538836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410672377.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种多量子阱层、外延结构及其制备方法是由程海林;朱帅设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多量子阱层、外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多量子阱层、外延结构及其制备方法，属于LED半导体技术领域；多量子阱层包括第一BInN层、第一InSe层、InGaN阱层、第二InSe层、第二BInN层、GaN垒层交替层叠的周期性结构；外延结构包括蓝宝石衬底，以及依次位于蓝宝石衬底上AlN缓冲层、三维成核层、二维缓冲恢复层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层和p型层；还包括上述多量子阱层，所述多量子阱层位于应力释放层和p型层之间；制备方法用于制备上述外延结构；通过调节BInN层中B组分和In组分含量，能够降低阱垒之间因晶格失配产生的极化电场，有利于提高多量子阱层内电子空穴的波函数重叠率，提高阱层与垒层的晶体质量并最终提高发光二极管的发光效率。
本发明授权一种多量子阱层、外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多量子阱层，其特征在于，包括第一BInN层81、第一InSe层、InGaN阱层82、第二InSe层、第二BInN层83、GaN垒层84交替层叠的周期性结构； 所述第一BlnN层81中的B组分含量向所述InGaN阱层82一侧逐渐减小，In组分含量向所述InGaN阱层82一侧逐渐增加； 所述第二BlnN层83中的B组分含量从所述InGaN阱层82一侧向所述GaN垒层84一侧逐渐增大，In组分含量从所述InGaN阱层82一侧向所述GaN垒层84一侧逐渐减小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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