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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种Sb4自组装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118360570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410466347.9，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种Sb4自组装结构的制备方法是由卢建臣;李世成;孙丽设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Sb4自组装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Sb4自组装结构的制备方法，属于纳米材料技术领域。制备金单晶基底；锑粉末蒸发并沉积在金单晶基底得到基底和沉积在基底上的Sb4分子自组装链，且沉积过程控制金单晶基底温度为25～30℃；将基底和沉积在基底上的Sb4分子自组装链进行第一次升温至生长温度进行保温处理，以得到小面积且分散的Sb4分子自组装岛；然后以制备的小面积自组装岛为形核位点进行生长，即将锑粉末蒸发沉积在具有小面积的自组装岛的金单晶表面，得到具有小面积的Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底，且沉积过程控制基底温度为25～30℃；将得到的小面积Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到大面积Sb4分子自组装岛。本发明制备得到的Sb4分子自组装结构形状结构规则，且自组装结构的宽度大多在100nm以上。

本发明授权一种Sb4自组装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Sb4自组装结构的制备方法，其特征在于具体步骤包括： 步骤1、制备金单晶基底； 步骤2、锑粉末蒸发并沉积在步骤1的金单晶基底得到基底和沉积在基底上的Sb4自组装链，沉积过程控制金单晶基底温度为25~30℃； 步骤3、将步骤2的基底和沉积在基底上的Sb4自组装链进行第一次升温至生长温度保温处理，得到具有小面积的Sb4自组装岛和金单晶基底； 步骤4、然后将锑粉末蒸发沉积在经步骤3处理的具有小面积的Sb4自组装岛和金单晶基底上得到具有小面积的Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底，沉积过程控制基底温度为25~30℃； 步骤5、将步骤4得到的具有小面积的Sb4分子自组装岛和Sb4分子自组装链共存的金单晶基底进行第二次升温至生长温度保温处理得到具有大面积的Sb4分子自组装岛； 所述步骤2中锑粉末蒸发温度为230℃～235℃，沉积时间为5min~10min； 所述步骤3生长温度为100℃，保温30min； 所述步骤4中锑粉末蒸发温度为230℃~235℃，沉积时间为20min~30min； 所述步骤5生长温度为150℃，保温30min。

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