新一新能源科技(衢州)有限公司倪志荣获国家专利权
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龙图腾网获悉新一新能源科技(衢州)有限公司申请的专利一种Topcon太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117832310B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410010868.3，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种Topcon太阳能电池及其制备方法是由倪志荣设计研发完成，并于2024-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Topcon太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Topcon太阳能电池，包括硅片基底和背电极，所述硅片基底的背面设有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层上位于所述背电极的对应区域设有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上设置所述背电极，所述隧穿氧化层上除所述背电极的对应区域外设有钝化层。本发明公开了一种Topcon太阳能电池的制备方法，在硅片基底的背面的隧穿氧化层上沉积掺杂非晶硅层后，通过热处理形成多晶硅区域，再用蚀刻剂选择性蚀刻非晶硅保留多晶硅形成掺杂多晶硅层。本发明能够降低入射光的寄生吸收，增强光线的利用，改善钝化效果，提高电池的短路电流和开路电压，提高电池光电转换效率。
本发明授权一种Topcon太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Topcon太阳能电池，包括硅片基底和背电极，所述硅片基底的背面设有隧穿氧化层，其特征在于，所述隧穿氧化层上位于所述背电极的对应区域设有掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层上设置所述背电极，所述隧穿氧化层上除所述背电极的对应区域外设有钝化层，所述掺杂多晶硅层内晶体尺寸由中心沿电池表面延伸方向向两侧减小，所述掺杂多晶硅层的设置有所述背电极的顶面的两侧形成梯形倒角，所述倒角角度为45°～80°。
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