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龙图腾网获悉广州大学申请的专利基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116719381B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310940145.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路是由曾衍瀚;张妤婷;葛千惠设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路，包括：运算放大器的第一输入端与电路的输出端连接，运算放大器的第二输入端输入参考电压，输出端与单位增益缓冲器的输入端以及副功率管的栅极连接；单位增益缓冲器的输出端与主功率管的栅极和衬底连接；主副功率管的第一极均输入第一工作电压，主副功率管的第二极均与电路的输出端连接，电路的输出端接入负载。本公开通过调整功率管的衬底电压，从而达到对功率管阈值电压的调整，保证电路在超低压条件下的正常工作；同时利用主副功率管的自适应设计，在负载发生跳变的时候使电路根据负载电流调整自适应开启或关闭主副功率管，提高带载能力，使电路的性能得到提高。

本发明授权基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种基于衬底调制复用和自适应功率管的超低压差LDO电路，其特征在于，包括： 运算放大器、单位增益缓冲器、主功率管和副功率管；其中， 所述运算放大器的第一输入端与超低压差LDO电路的输出端连接，所述运算放大器的第二输入端输入参考电压，所述运算放大器的输出端与所述单位增益缓冲器的输入端以及所述副功率管的栅极连接； 所述单位增益缓冲器的输出端与所述主功率管的栅极以及所述主功率管的衬底连接； 所述主功率管和所述副功率管的第一极均输入第一工作电压，所述主功率管和所述副功率管的第二极均与所述超低压差LDO电路的输出端连接，所述超低压差LDO电路的输出端接入负载； 所述单位增益缓冲器至少包括：第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管以及第十六晶体管；其中， 所述第十一晶体管的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第十一晶体管的第一极输入所述第一工作电压，所述第十一晶体管的第二极与所述第十五晶体管的第一极、所述第十五晶体管的栅极以及所述第十六晶体管的栅极连接； 所述第十二晶体管的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第十二晶体管的第一极与所述第十三晶体管的第二极连接，所述第十三晶体管的第一极和所述第十四晶体管的第一极均输入所述第一工作电压，所述第十三晶体管的第二极与所述第十三晶体管的栅极和所述第十四晶体管的栅极连接，所述第十四晶体管的第二极与所述第十一晶体管的衬底、所述第十六晶体管的第一极连接，所述第十四晶体管的第二极作为所述单位增益缓冲器的输出端； 所述第十二晶体管的第二极、所述第十五晶体管的第二极以及所述第十六晶体管的第二极接地； 所述第十一晶体管、所述第十三晶体管和所述第十四晶体管均为P型晶体管；所述第十二晶体管、所述第十五晶体管以及所述第十六晶体管均为N型晶体管。

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