武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司章嵩获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学;广东汇成真空科技股份有限公司申请的专利一种<010>择优取向的β-Ga2O3薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116516315B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211280072.7，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种<010>择优取向的β-Ga2O3薄膜的制备方法是由章嵩;涂溶;李宝文;徐青芳;张联盟;李志荣设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种<010>择优取向的β-Ga2O3薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种择优取向的β‑Ga2O3薄膜的制备方法，具体步骤如下：1将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下；2向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，在玻璃基板上沉积得到β‑Ga2O3薄膜。本发明采用激光化学气相沉积法，通过调整实验参数控制薄膜的取向，在低成本的石英玻璃基板表面成功制备出择优取向的β‑Ga2O3多晶薄膜，对于拓宽β‑Ga2O3多晶薄膜的应用范围具有十分重要的意义。
本发明授权一种<010>择优取向的β-Ga2O3薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种010择优取向的β-Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下： 1将0.5g前驱体置于冷壁式激光化学气相沉积设备的原料罐中，所述前驱体为粉末状乙酰丙酮镓，然后将玻璃基板预处理后放入沉积腔体内，所述玻璃基板为石英玻璃基板，调整玻璃基板位置使其位于激光覆盖范围内，并将沉积腔体抽真空至10Pa以下； 2向沉积腔体内通入稀释气体使沉积腔体内达到沉积压强，关闭稀释气体，然后将原料罐内前驱体加热至升华温度，打开激光照射玻璃基板表面，使玻璃基板达到沉积温度，同时向沉积腔体内通入载气和反应气进行沉积，所述反应气为O2，流量为200sccm，沉积温度850~1100℃，沉积结束后依次关闭载气、反应气和激光，自然冷却至室温，即在玻璃基板上沉积得到010择优取向的β-Ga2O3薄膜。
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