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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116454024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310314983.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构是由杨国江;卓宁泽设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构，所述方法包括：刻蚀晶圆的第一表面形成多个沟槽结构；在沟槽结构中形成栅极；在第一表面沉积第二氧化层，刻蚀第二氧化层填充后形成栅极接触及源极接触；刻蚀所述晶圆的第二表面，形成多个横纵交错的第一凹槽与第一凸台，使得每一所述沟槽结构位于每一所述第一凸台内；刻蚀支架的功能面制备多个第二凹槽与多个第二凸台；将第一凸台粘接于第二凹槽内，使得第一凹槽与第二凸台对应设置；在晶圆的第二氧化层形成漏极接触；分别在栅极接触、源极接触及漏极接触表面形成表面金属层，并在所述表面金属层之间沉积形成保护层；沿切割道切割形成所述槽栅型MOSFET模组。

本发明授权一种槽栅型MOSFET模组的制造方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种槽栅型MOSFET模组的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一晶圆，采用光刻版刻蚀所述晶圆的第一表面形成多个沟槽结构； 在所述沟槽结构表面沉积第一氧化层，在所述沟槽结构底部、靠近所述晶圆的第二表面处进行离子注入，形成离子注入区； 在所述沟槽结构中进行注入与推结，以在所述沟槽结构内形成栅极； 在所述第一表面沉积第二氧化层，刻蚀所述第二氧化层至所述栅极处，填充后形成栅极接触； 刻蚀所述第二氧化层至所述栅极两侧的晶圆处，填充后形成源极接触； 刻蚀所述晶圆的第二表面，形成多个横纵交错的第一凹槽，所述第一凹槽在所述晶圆隔离出多个第一凸台，使得每一所述沟槽结构位于每一所述第一凸台内； 提供一支架，刻蚀所述支架的功能面制备多个第二凹槽，所述多个第二凹槽之间形成多个第二凸台； 在所述支架的功能面表面形成导电金属层，所述导电金属层连续覆盖所述第二凹槽、所述第二凸台及所述第二凹槽的侧面； 间隔刻蚀所述第二凸台处的导电金属层，以形成导电金属层开口； 将所述第一凸台粘接于所述第二凹槽内的导电金属层上，使得所述第一凹槽与所述第二凸台对应设置； 刻蚀所述晶圆的第二氧化层至位于所述第二凸台处的导电金属层，填充后形成漏极接触； 分别在所述栅极接触、所述源极接触及所述漏极接触表面间隔形成表面金属层，并在所述表面金属层之间沉积形成保护层； 沿每一导电金属层开口确定的切割道进行切割形成所述槽栅型MOSFET模组。

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