厦门大学李静获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211472713.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法是由李静;黄昱祺;尹君设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种渐变LQB组分的MicroLED外延结构，包括InGaNGaN多量子阱结构，所述多量子阱结构p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1‑xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1‑xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，p型GaN层上设有电子阻挡层。采用渐变n型InxGa1‑xN和p型GaN结构作为MicroLED的LQB层能够有效限制载流子，使得载流子更加匹配，在阱内复合效率更高；能够提高MicroLED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平，缓解蓝光MicroLED效率下降的问题。
本发明授权一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种渐变LQB组分的MicroLED外延结构，其特征在于：包括InGaNGaN多量子阱结构，所述多量子阱结构具有n型侧和p型侧，其中p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1-xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1-xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，所述p型GaN层上设有电子阻挡层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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