买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;电子科技大学(深圳)高等研究院申请的专利一种高维持电压双向SCR结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310297817.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高维持电压双向SCR结构是由乔明;石勇刚;齐钊;张波设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高维持电压双向SCR结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种高维持电压双向SCR结构，包括：N型衬底、第一PWELL区、第二PWELL区、NWELL区、第一P+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第一电极金属线、第一跨接金属线、第二跨接金属线、第二电极金属线；本发明通过跨接金属线引导阳极电流在进入阴极时，并非走内侧表面的路径，而是走外侧体内路径，增加其在导通时的压降，提高器件的维持电压，同时采用完全对称结构设计的SCR，能够满足双向ESD防护的要求，双向电学参数完全一致。

本发明授权一种高维持电压双向SCR结构在权利要求书中公布了：1.一种高维持电压双向SCR结构，其特征在于，包括：N型衬底01、第一PWELL区11、第二PWELL区12、NWELL区21、第一P+注入区31、第二P+注入区32、第三P+注入区33、第四P+注入区34、第五P+注入区35、第六P+注入区36、第一N+注入区41、第三N+注入区43、第一电极金属线51、第一跨接金属线52、第二跨接金属线53、第二电极金属线54； 其中，第一PWELL区11位于N型衬底01内上方左侧，第一PWELL区11内上方中部设有第一N+注入区41和第二P+注入区32，第一N+注入区41在第二P+注入区32左侧，第一N+注入区41和第二P+注入区32通过第一电极金属线51相连并作为器件的第一电极，第一PWELL区11内上方两端各设有第一P+注入区31和第三P+注入区33，第一P+注入区31在左端，第三P+注入区33在右端，第一P+注入区31和第三P+注入区33通过第一跨接金属线52相连；NWELL区21位于N型衬底01内上方中部，并与第一PWELL区11紧邻，第二PWELL区12位于N型衬底01内上方右侧，并与NWELL区21紧邻，第二PWELL区12内上方中部设有第三N+注入区43和第五P+注入区35，第三N+注入区43在第五P+注入区35右侧，第三N+注入区43和第五P+注入区35通过第二电极金属线54相连并作为器件的第二电极，第二PWELL区12内上方两端各设有第四P+注入区34和第六P+注入区36，第四P+注入区34在左端，第六P+注入区36在右端，第四P+注入区34和第六P+注入区36通过第二跨接金属线53相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院;电子科技大学(深圳)高等研究院，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。