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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556969.8，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法是由郑朝月;宋万科;陈希明;刘欢;杨亚杰;李世彬设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。

本发明授权一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件，其特征在于：包括衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层； 所述的掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件制备方法，包括如下步骤： 步骤1：准备SiSiO2衬底，超声清洗并烘干备用； 步骤2：配制NaCl，KCl，LiCl水溶液；配制聚偏二氟乙烯溶液，溶剂为N-甲基吡咯烷酮； 步骤3：取聚偏二氟乙烯溶液，加入步骤2制得的水溶液，超声混合； 步骤4：配制聚苯乙烯溶液，溶剂为甲苯； 步骤5：将衬底先UV处理；在衬底上面旋涂步骤3配制好的混合溶液，热退火处理；然后继续旋涂步骤4配制的PS溶液，热退火处理； 步骤6：将完成的样品放入真空蒸镀系统，依次蒸镀并五苯、水平栅和源漏电极；蒸镀完成后，器件放入干燥的氮气柜中保存，制得掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件。

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