长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310294330.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，制备方法包括：提供衬底，在衬底上形成堆叠材料层，堆叠材料层覆盖衬底的表面，堆叠材料层具有第一翘曲度。向反应腔室内通入第一源气体和第二源气体，以形成覆盖堆叠材料层的掩膜层，堆叠材料层加掩膜层组成的结构具有第二翘曲度，第二翘曲度与第一翘曲度的差值在第一预设范围内，其中，第一源气体至少包含含硅气体。在掩膜层上形成刻蚀图案，并以刻蚀图案为掩膜刻蚀掩膜层，以形成暴露出部分堆叠材料层的多个掩膜图案。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，在所述衬底上形成堆叠材料层，所述堆叠材料层覆盖所述衬底的表面，所述堆叠材料层具有第一翘曲度； 向反应腔室内通入第一源气体和第二源气体，以形成覆盖所述堆叠材料层的掩膜层，所述堆叠材料层加所述掩膜层组成的结构具有第二翘曲度，所述第二翘曲度与所述第一翘曲度的差值在第一预设范围内；其中，所述第一源气体至少包含含硅气体，所述第二源气体包含含碳气体； 在所述掩膜层上形成刻蚀图案； 以所述刻蚀图案为掩膜刻蚀所述掩膜层，以形成暴露出部分所述堆叠材料层的多个掩膜图案。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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