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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310203891.X，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法是由吴小明;林前英;江风益;陈芳;莫春兰;王立;黄超;夏邦美设计研发完成，并于2023-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。

本发明授权一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率垂直结构LED芯片结构，其特征在于：所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、互补层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体的表面；所述第二电极包括，至少一个焊盘、传输电极和传输注入电极；所述焊盘和传输电极形成于电流阻挡层表面的预定位置，传输电极位于焊盘的左右两侧及上侧，传输电极与焊盘组成一个封闭的环形；所述传输注入电极的一部分形成于第二半导体的表面，传输注入电极的剩余部分形成于电流阻挡层的表面，传输注入电极位于传输电极与焊盘组成一个封闭的环形内部；所述焊盘与传输电极连接，传输电极与传输注入电极连接，传输注入电极与焊盘不连接；所述焊盘和传输电极的电极宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度。

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