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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310130572.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板是由郑畅达;曹雷;王立;吴小明;莫春兰;陈芳;蒋恺;李璠;刘志华设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。

本发明授权一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种RGB三色集成的Mini-LED芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：分别在三片硅衬底上生长三种颜色的外延层，获得三种颜色的外延片； S2：分别对三种颜色的外延片进行图形化处理，形成三种颜色的Mini-LED阵列；任意一种颜色的Mini-LED阵列中存在与另外两种颜色的Mini-LED阵列相同的对准键合标记； S3：分别在三种颜色的Mini-LED阵列上蒸发形成P型反射电极层和第一粘结层； S4：以第一粘结层为刻蚀掩膜，分别刻蚀三种颜色的外延片的非Mini-LED台面区域的硅衬底； S5：提供硅基板，在硅基板的表面蒸发形成第二粘结层； S6：将一种颜色的Mini-LED阵列通过键合的方法，转移至支撑基板上并去除硅衬底； S7：重复步骤S6两次，分别将另外两种颜色的Mini-LED阵列转移至支撑基板上并去除硅衬底； S8：腐蚀去除三种颜色的Mini-LED阵列边缘的外延层材料； S9：沉积绝缘材料，形成钝化膜； S10：蒸发形成N型电极； S11：切割阵列，获得一个个独立的RGBMini-LED芯片。

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