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龙图腾网获悉扬州杰利半导体有限公司申请的专利一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310309831.6，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺是由崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺在说明书摘要公布了：一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。涉及半导体器件，尤其涉及一种低应力高可靠性的高压TVS产品及其PN结钝化工艺。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。本发明在工作中，在高压TVS制造工艺中，将SIPOS膜钝化与Si3N4及SiO2膜钝化方式结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层Si3N4及致密的SiO2膜，减少了玻璃熔融过程造成的PN结处杂质污染及玻璃与硅间的结合应力，降低反向漏电流，提升产品可靠性；具有结构简单、制造方便的显著特点。

本发明授权一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺在权利要求书中公布了：1.一种高压TVS产品的PN结钝化工艺，其特征在于，包括以下步骤： S100，扩散：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P⁺-N-N⁺结构； S200，选择性光刻：将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护； S300，沟槽蚀刻：对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻，在硅表面形成向下延伸至N层衬底区、呈椭圆结构的蚀刻槽，所述蚀刻槽挖穿P⁺结至N⁺基区且槽深比基区深30um，蚀刻槽深度为50-150um、宽度为200-500um； S400，SIPOS： S410，长SIPOS膜：通过低压化学气相沉积，使N2O和SiH4在流量比0.1-0.5、反应压力0.25~0.28×133.3Pa、沉积温度600±70℃条件下进行热分解反应，在产品表面淀积成SIPOS薄膜； S420，致密化：在LPCVD工艺中，通过810±30℃、40±20min的高温退火，使SIPOS薄膜中的间隙氧原子游离出硅的网络之外与网络外硅的氧化相形成更为稳定的O-Si-O键； S430，长MTO膜：通过中温氧化，在SIPOS膜上沉积MTO膜，中温氧化沉积温度为700±50℃，N2OSiH4流量比为5-10，沉积时间为60±20min； S500，Si3N4沉积长Si3N4膜：通过低压化学气相沉积LPCVD，在SIPOS膜表面淀积生长一层致密的Si3N4薄膜，反应式主要为3SiH2Cl2+7NH3→Si3N4↓+3NH4Cl+3HCl+6H2↑，其中NH3SiH2Cl2流量比为1.2-1.7，反应压力为0.25~0.28×133.3Pa，沉积温度为800±50℃，Si3N4薄膜厚度为700-1200埃； S600，绝缘钝化长SiO2膜：在Si3N4薄膜表面，通过LPCVD工艺，在温度850±50℃、SiH4与O2流量比0.8-0.95、时间90±20min条件下，形成一层致密的SiO2绝缘钝化层； S700，选择性光刻：将晶粒沟槽内钝化层用光阻剂保护起来，台面及切割道钝化膜暴露出来，且SIPOS膜、Si3N4膜、SiO2膜的端部分别延伸至P⁺层的顶面，并与器件边缘预留25-60um间距； S800、电极面氧化膜去除：将晶粒台面及切割道表面钝化膜去除，为后续金属化做准备； S900、金属化：在晶片表面镀一层电极金属，加工完毕； 上述步骤中，SIPOS膜、Si3N4膜和SiO2膜的沉积全程采用LPCVD技术，不涉及玻璃熔融及玻璃钝化相关工艺步骤。

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