湖南三安半导体有限责任公司陈骆获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利半导体器件及其光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310138745.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其光刻方法是由陈骆;刘彬;赵常宁;简兆镰;钟海波设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其光刻方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留台阶和沟槽中部的介质层，形成光刻图形；去除介质层上的负性光刻胶。该方法针对沟槽内光刻图形的制作，将原本的正性光刻胶替换为负性光刻胶，利用负性光刻胶曝光后固化而遮光后能够被刻蚀的特性来形成光刻图形，使得原本在光刻时需要较大曝光面积的沟槽降低曝光面积，避免光线在台阶侧壁或者说是沟槽的侧壁间造成反射，进而改善深沟槽内光刻图形的形貌，提升图形线宽的均一性。
本发明授权半导体器件及其光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件光刻方法，其特征在于： 包括： 提供待光刻半导体，所述待光刻半导体包括依次层级连接的衬底层、外延层和介质层；其中，所述介质层背离所述外延层的表面设有若干台阶，相邻两个所述台阶间形成沟槽，所述沟槽用于形成光刻图形； 在所述介质层上涂覆负性光刻胶； 对所述负性光刻胶进行刻蚀，露出所述台阶及所述台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除所述台阶两侧一段的介质层，保留所述台阶和所述沟槽中部的介质层，形成所述光刻图形； 去除所述介质层上的负性光刻胶。
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