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龙图腾网获悉江苏易矽科技有限公司申请的专利基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116306420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211731261.1，技术领域涉及：G06F30/3323；该发明授权基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法是由刁绅;陈宏;刘洋;皮彬彬;郭亚楠设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于数学拟合的SiCMOSFET模型的建立方法，根据SiCMOSFET的输出特性、体二极管正向导通特性、电容特性，将器件等效为压控电流源和压控电压源以及电容电阻配合的方式，对SiCMOSFET进行特性建模，根据其测试数据的曲线形式，确定不同等效元件的计算表达式基础。通过添加不具有实际物理意义的数学参数的方式，进一步修正仿真曲线形态变化范围，从而提升拟合的准确性。在数据范围内，将仿真曲线与测试曲线相贴合，完成了对SiCMOSFET特性的准确且快速的表征。

本发明授权基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法在权利要求书中公布了：1.一种基于数学拟合的SiCMOSFET模型的建立方法，其特征在于，步骤包括： S1，根据SiCMOSFET的输出特性曲线测试数据，建立等效压控电流源模型，并根据电容特性曲线测试数据，建立等效电容模型，并根据体二极管特性曲线测试数据，建立等效体二极管模型； S2，分别校正所述等效压控电流源模型、所述等效电容模型、所述等效体二极管模型的模型参数，并将校正后的各模型参数返回给Spice模型； S3，将对所述Spice模型的仿真结果与实际测试结果进行比对，以修正SiCMOSFET结构的等效电路中的管腿寄生电感和栅极内电阻； 所述等效压控电流源模型通过以下公式1表达： 公式1中，均为拟合系数，为施加在SiCMOSFET上的辅助电压源，为SiCMOSFET的外加栅源电压，为SiCMOSFET的外加漏源电压； 所述等效体二极管模型包括寄生体二极管电流源模型，通过以下公式4表达： 公式4中，均电流源拟合系数； 为二极管受到的外加偏压，在SiCMOSFET的结构中，寄生体二极管为反偏二极管，其受到的偏压等于SiCMOSFET源漏电压。

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