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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116297365B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310192280.X，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法是由姜小芳;李琛晖;王晶;刘颖臻;陈泽楷设计研发完成，并于2023-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其包括如下步骤：S1、选择钙钛矿作为待测样品，将所述待测对象放置于荧光光谱探测系统的样品台上；S2、调整所述荧光光谱探测系统的光源板块中的激发波长，所述激发波长通过4f系统，进入衰减片，并产生一个功率Iexc1，最终照射在所述待测样品上；S3、所述待测样品产生荧光，所述荧光被所述荧光光谱探测系统的光谱仪吸收，收集Iexc1所对应的双光子荧光强度I2ppl1；S4、调整衰减片，并重复步骤S2；S5、根据公式得到指数系数b，其中D为常数。本发明可以方便简洁并且无损坏性地测量出钙钛矿中的载流子类型，相对于单光子激发排除了缺陷的影响，得到更为真实的信息。

本发明授权一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法，其特征在于，所述基于双光子荧光的半导体载流子类型测试方法包括如下步骤： S1、选择钙钛矿作为待测样品，将所述待测对象放置于荧光光谱探测系统的样品台上； S2、调整所述荧光光谱探测系统的光源板块中的激发波长，所述激发波长通过4f系统，进入衰减片，并产生一个功率Iexcl，最终照射在所述待测样品上； S3、所述待测样品产生荧光，所述荧光被所述荧光光谱探测系统的光谱仪吸收，收集Iexcl所对应的双光子荧光强度I2ppll； S4、调整衰减片，并重复步骤S2，从而产生功率Iexc2-Iexcn，以及相应的双光子荧光强度I2ppl2-I2ppln； S5、根据公式logI2ppl＝blogD·Iexc，将所述Iexcl-Iexcn和对应的I2ppl1-I2ppln代入，进行拟合得到指数系数b，其中D为常数； 若b＝2，载流子类型为激子；若2b4，激子与自由载流子共存；若b＝4，载流子类型为自由载流子； 其中，所述激发波长的能量hυ满足： 0.5Eg＜hυ＜Eg； Eg为所述待测样品的光学带隙。

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