中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利六方氮化硼层的制备方法、III-V族外延结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288697B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310023092.4，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权六方氮化硼层的制备方法、III-V族外延结构及制作方法是由周鑫;张丽;张晓东;徐坤;杨锋;张宝顺设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本六方氮化硼层的制备方法、III-V族外延结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种六方氮化硼层的制备方法、III‑V族外延结构及制作方法。所述制备方法包括：对衬底进行预氮化处理，形成氮化层；形成包含六方氮化硼的第一成核层；进行第一退火处理；交替接触氮源和硼源，进行生长，获得六方氮化硼层。所述制作方法包括：在六方氮化硼层表面生长第二成核层；对第二成核层进行第二退火处理；外延生长III‑V族半导体层。本发明所提供的制备方法能够直接在非铜衬底表面生长形成六方氮化硼层，无需进行剥离键合等处理，提高了以此为基础继续进行的外延生长的品质，且显著降低了工艺复杂程度。本发明所提供的制作方法，无需剥离键合工艺以及特定的铜质衬底，所形成的III‑V族外延层的位错密度低，性能优异。
本发明授权六方氮化硼层的制备方法、III-V族外延结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种Ⅲ-Ⅴ族外延结构的制作方法，其特征在于，包括： 1对衬底进行预氮化处理，在衬底表面形成氮化层，所述衬底选自Si100衬底； 2使所述氮化层与氮源和硼源接触，在所述氮化层表面形成包含六方氮化硼的第一成核层； 3对所述第一成核层进行第一退火处理； 4使所述第一成核层交替接触氮源和硼源，进行六方氮化硼的生长，获得六方氮化硼层； 5在所述六方氮化硼层表面生长第二成核层，所述第二成核层包含Ⅲ-V族化合物； 6对所述第二成核层进行第二退火处理； 7在所述第二成核层表面外延生长Ⅲ-V族半导体层。
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