国际商业机器公司B·赫克马绍尔塔巴里获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180068268.7，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器是由B·赫克马绍尔塔巴里;A·雷兹尼彻;安藤崇志;龚南博设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器在说明书摘要公布了：一种电路400包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器200和非易失性存储器元件100。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。
本发明授权集成有垂直场效应晶体管的低压闪速存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 与垂直场效应晶体管和非易失性存储器元件集成的低压闪速存储器，所述低压闪速存储器通过所述垂直场效应晶体管、一条或多条位线以及一条或多条字线耦合到所述非易失性存储器元件， 其中所述低压闪速存储器包括： 第一源漏极； 第二源漏极，所述第二源漏极通过外延沟道与所述第一源漏极分离； 浮置栅极，所述浮置栅极通过第一电介质层与所述外延沟道分离；以及 控制栅极，所述控制栅极通过第二电介质层与所述浮置栅极分离， 其中所述低压闪速存储器的所述第一源漏极被连接到位线，所述低压闪速存储器的所述第二源漏极被连接到所述垂直场效应晶体管的第一源漏极，以及所述垂直场效应晶体管的第二源漏极被连接到字线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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