南亚科技股份有限公司郑闵中获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体装置与其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210093881.0，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体装置与其制造方法是由郑闵中设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置与其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置包含第一介电层、第一导电结构、第二导电结构、第一通孔件、第二通孔件、聚合物衬垫层与第二介电层。第一导电结构位于第一介电层中。第二导电结构位于第一介电层中并与第一导电结构分开。第一通孔件位于第一导电结构上。第二通孔件位于第二导电结构上。聚合物衬垫层侧向包围第二通孔件。以及，第二介电层侧向包围第一通孔件与聚合物衬垫层，其中第二介电层接触第一通孔件且借由聚合物衬垫层而与第二通孔件分开。在本发明中，聚合物衬垫层可用于调整通孔件开口大小，以在同一个工艺中形成不同尺寸的通孔件。
本发明授权半导体装置与其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 第一介电层； 第一导电结构，位于该第一介电层中； 第二导电结构，位于该第一介电层中并与该第一导电结构分开； 第一通孔件，位于该第一导电结构上； 第二通孔件，位于该第二导电结构上； 聚合物衬垫层，侧向包围该第二通孔件，该第一通孔件在横截面具有第一尺寸，该聚合物衬垫层与该第二通孔件的总合在该横截面具有第二尺寸，该第二尺寸大于该第一尺寸，且该第一通孔件的宽度大于该第二通孔件的宽度；以及 第二介电层，侧向包围该第一通孔件与该聚合物衬垫层，其中该第二介电层接触该第一通孔件且借由该聚合物衬垫层而与该第二通孔件分开。
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