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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种真空紫外光电离-光致化学电离复合电离源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111477697.8，技术领域涉及：H01J49/10；该发明授权一种真空紫外光电离-光致化学电离复合电离源是由花磊;蒋吉春;吴称心;张栢茂;李海洋设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种真空紫外光电离-光致化学电离复合电离源在说明书摘要公布了：一种真空紫外光电离‑光致化学电离复合电离源，包括电离源腔体和真空紫外光源，电离源腔体为一中空密闭腔室，于电离源腔体内部设置有灯头推斥电极、射频耦合电极、光电子发射栅网电极、电离区传输电极、电离区离子导引电极和电离区出射栅网电极；于离子导引区中部位置处设置有一圆形遮光电极，遮光电极为平板状电极，其外径小于电离区离子导引电极的离子通孔内径。本发明基于单一的VUV光源实现高效的真空紫外光电离和光致化学电离，可有效拓宽光电离质谱仪可检测样品的范围，提升仪器检测灵敏度，在大气环境检测、工业过程监测及代谢产物高通量分析等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种真空紫外光电离-光致化学电离复合电离源在权利要求书中公布了：1.一种真空紫外光电离-光致化学电离复合电离源，包括电离源腔体1和真空紫外光源2，电离源腔体1为一中空密闭腔室，于电离源腔体1内部设置有灯头推斥电极4、射频耦合电极5、光电子发射栅网电极6、电离区传输电极7、电离区离子导引电极8和电离区出射栅网电极9，其特征在于： 灯头推斥电极4、射频耦合电极5、光电子发射栅网电极6、电离区传输电极7、电离区离子导引电极8和电离区出射栅网电极9均为中部设置有圆形离子通孔的平板状电极，平板状电极依次相互间隔、通孔同轴、平行设置；其中，电离区传输电极7和电离区离子导引电极8均分别为1块或2块以上相互间隔、通孔同轴、平行设置的平板状电极，且电离区离子导引电极8的离子通孔内径大于或等于电离区传输电极7的离子通孔内径；于光电子发射栅网电极6和电离区出射栅网电极9的离子通孔区域均设置有屏蔽电场的金属栅网； 射频耦合电极5中部的离子通孔及相邻2块平板状电极离子通孔之间的区域作为光电子电离区；1块或2块以上平板状电极构成的电离区传输电极7中部的离子通孔及相邻2块平板状电极离子通孔之间的区域作为反应电离区；1块或2块以上平板状电极构成的电离区离子导引电极8中部的离子通孔及相邻2块平板状电极离子通孔之间的区域作为离子导引区；于离子导引区中部位置处设置有一圆形遮光电极10，遮光电极10为平板状电极，其外径小于电离区离子导引电极8的离子通孔内径； 真空紫外光源2发出的真空紫外光17位于电离源腔体1的内部，经聚焦透镜3汇聚后依次穿过灯头推斥电极4、射频耦合电极5、光电子发射栅网电极6、电离区传输电极7和电离区离子导引电极8的离子通孔中心区域，照射在遮光电极10的表面；电离区出射栅网电极9设置于电离源腔体1底部的腔体壁上，电离区出射栅网电极9的中部通孔通过设置于电离源腔体1腔体壁上的通孔与电离源腔体1外部相连通； 于灯头推斥电极4、射频耦合电极5、光电子发射栅网电极6、电离区传输电极7、电离区离子导引电极8和电离区出射栅网电极9的平板状电极上按照电压从高到低的顺序，依次加载不同的直流电压，在灯头推斥电极4到电离区出射栅网电极9轴线方向上形成大小为0.1~1000Vcm的离子传输电场；于遮光电极10上施加高于电离区离子导引电极8的直流电压； 于射频耦合电极5的直流电压上耦合峰-峰值Vp-p为0~1000V射频电压，在灯头推斥电极4、射频耦合电极5和光电子发射栅网电极6之间的离子通孔区域形成射频电场； 一光电子电离区气体进样管12穿过电离源腔体1的外壁伸入电离源腔体1内部，试剂气体进样管12的气体出口设置于灯头推斥电极4和射频耦合电极5之间相互间隔的区域； 一反应电离区气体进样管13穿过电离源腔体1的外壁伸入电离源腔体1内部，样品气体进样管13的气体出口设置于光电子发射栅网电极6和电离区传输电极7之间相互间隔的区域。

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