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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体微腔激光器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211609506.3，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权半导体微腔激光器阵列是由杨珂;黄永箴;王玮;杨跃德;肖金龙设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体微腔激光器阵列在说明书摘要公布了：本公开提供的半导体微腔激光器阵列包括控制端，由正方形微腔集成，用于产生光信号；处理端，由正方形微腔集成，用于补偿光信号的损耗；波导，用于将控制端和处理端直接连接构成阵列，实现光信号的传输；电隔离槽，设于控制端和处理端之间；输出波导，用于实现光信号的输出。该半导体微腔激光器阵列生长于边发射AlGaInAsInP外延片上，外延片由InP衬底、生长缓冲层、上下限制层、上下波导层、有源层、过渡层、欧姆接触层、顶层保护层构成。该半导体微腔激光器阵列不用进行二次外延和复杂的集成方式，制作工艺简单成本低，具有高度的可重构性和可扩展性，通过级联基本元素结构进一步扩展，实现超面积集成并执行复杂的计算任务。

本发明授权半导体微腔激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种半导体微腔激光器阵列，其特征在于，包括： 正方形微腔1，生长于边发射AlGaInAsInP外延片上，该外延片从下到上依次为InP衬底、N型缓冲层、N型波导层、有源层、P型波导层、过渡层、欧姆接触层、InP保护层； 控制端2，由正方形微腔1集成，用于产生光信号； 处理端3，由正方形微腔1集成，用于补偿光信号的损耗； 波导4，用于将所述控制端2和所述处理端3直接连接构成阵列，实现光信号的传输； 电隔离沟槽5，设于所述控制端2和所述处理端3之间； 输出波导，用于实现光信号的输出； 其中，在正方形微腔1上不相邻的两个顶点直连波导4；所述正方形微腔1的模式场分布具有对称性和反对称性两种，通过引入两根具有对称性的所述波导4，用于实现同相光信号和反相光信号的输出；每个集成单元中控制端2的正方形微腔1产生两列光信号，相邻控制端2的正方形微腔1的光信号在直连波导4中发生干涉后，经由处理端3的正方形微腔1未设置直连波导4的顶点进入到处理端3，进行与控制端2相同的光信号处理。

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