长鑫存储技术有限公司刘晓阳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116193852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310010670.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘晓阳设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一半导体层，第一半导体层包括第一部以及位于第一部相对两侧的第二部，第一部向远离第二部的方向弯折以弯折围成开口；第一栅极，第一栅极位于开口内；介质层，介质层位于第二部的至少一侧表面；其中，第一部用于构成第一晶体管的第一沟道区，第一沟道区相对两侧的第二部用于构成第一源极接触区或第一漏极接触区。本公开实施例提供的半导体结构及其制造方法可以提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 第一半导体层，所述第一半导体层包括第一部以及位于所述第一部相对两侧的第二部，所述第一部向远离所述第二部的方向弯折以弯折围成开口； 第一栅极，所述第一栅极位于所述开口内； 介质层，所述介质层位于所述第二部的至少一侧表面； 其中，所述第一部用于构成第一晶体管的第一沟道区，所述第一沟道区相对两侧的所述第二部用于构成第一源极接触区或第一漏极接触区； 其中，多个所述第一半导体层沿第一方向排列，且在沿所述第一方向上，每一所述第一半导体层包括至少包括两个所述第一部，每一所述第一部的所述开口内具有一所述第一栅极。
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