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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116164634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310134453.2，技术领域涉及：G01B7/14；该发明授权一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统及方法是由侯占强;吴学忠;肖定邦;刘高;邝云斌;李青松;席翔;张勇猛设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统及方法，该系统包括：测量信号产生单元，用于产生反映电极间隙信息的电容信号；信号处理电路，用于对产生的电容信号进行处理，将电容信号转换为可读取、高信噪比的模拟电压信号；数据处理单元，用于对模拟电压信号进行数据处理，计算得到电极间隙值。本发明应用于MEMS结构领域，基于谐振的思想，使MEMS结构或可调电容器中一者处于动态变化状态，输出仅包含MEMS结构或可调电容器电容变化部分且是幅值最大状态下的信号，不仅能通过谐振放大获取高信噪比电容信号还可以避免寄生电容的影响，实现动态或静态电容式MEMS结构电极间隙的高精度、高分辨率测量。

本发明授权一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种电容式MEMS结构电极间隙测量系统，其特征在于，包括： 测量信号产生单元，用于产生反映电极间隙信息的电容信号； 信号处理电路，用于对所述测量信号产生单元产生的电容信号进行处理，将所述电容信号转换为可读取、高信噪比的模拟电压信号； 数据处理单元，用于对所述模拟电压信号进行数据处理，计算得到电极间隙值； 所述测量信号产生单元包括驱动调制模块、待测MEMS结构与可调电容器； 所述驱动调制模块用于产生包含直流、交流和高频载波三种不同信号的驱动电压，并通过所述驱动电压使所述待测MEMS结构与所述可调电容器产生电容信号，并对两者差分后的电容信号进行调制； 所述可调电容器的电容大小可调，且所述可调电容器的电容调整原则和大小由待测MEMS结构决定，具体为：当所述待测MEMS结构处于动态时，所述可调电容器的电容大小等于所述待测MEMS结构的静态电容；当所述待测MEMS结构处于静态时，所述可调电容器的电容大小在所述待测MEMS结构静态电容的上下波动。

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