中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司李翔获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310180651.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法是由李翔;丛茂杰;谢志平;梁新颖;张渝剀设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法，所述多通道沟槽型MOS器件包括：衬底；外延层，设置于所述衬底上，所述外延层中形成有多个第一器件单元和多个第二器件单元，所述第一器件单元和所述第二器件单元交替排列，其中：每个所述第一器件单元包括一个屏蔽区以及围绕所述屏蔽区的四个沟槽栅极，所述沟槽栅极内形成源区；每个所述第二器件单元包括一个沟槽栅极以及围绕所述沟槽栅极的四个屏蔽区，所述沟槽栅极内形成源区。本发明通过交替排列第一器件单元和所述第二器件单元，使得在沿第一方向的第一剖面上，屏蔽区与沟槽栅极交替设置，从而缩短了屏蔽区之间的间距，能够增加器件的浪涌能力，以及提高器件的耐压性和可靠性。
本发明授权一种多通道沟槽型MOS器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种多通道沟槽型MOS器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底上，所述外延层中形成有多个第一器件单元和多个第二器件单元，所述第一器件单元和所述第二器件单元交替排列，其中： 每个所述第一器件单元包括一个屏蔽区以及围绕所述屏蔽区的四个沟槽栅极，所述沟槽栅极内形成源区； 每个所述第二器件单元包括一个沟槽栅极以及围绕所述沟槽栅极的四个屏蔽区，所述沟槽栅极内形成源区； 所述屏蔽区为正四边形，所述沟槽栅极为正八边形，所述屏蔽区的边长与所述沟槽栅极的边长相等； 在沿第一方向的第一剖面上，所述屏蔽区与所述沟槽栅极交替设置且所述屏蔽区与所述沟槽栅极之间无源区； 所述屏蔽区通过离子注入形成。
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